[實用新型]集成電路和集成電路系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720453604.0
• 申請日: 2017-04-26
• 公開（公告）號: CN207217500U
• 公開（公告）日: 2018-04-10
• 發(fā)明（設計）人: P·弗納拉;C·里韋羅
• 申請（專利權）人: 意法半導體(魯塞)公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L23/525
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 王茂華

1.一種集成電路，其特征在于，所述集成電路在襯底的頂部上包括互連部分，所述互連部分包括由絕緣區(qū)域分隔開的多個金屬化層級，所述集成電路在所述互連部分內(nèi)另外包括至少一個反熔絲結構，所述反熔絲結構涂覆有所述絕緣區(qū)域的一部分，所述反熔絲結構包括：橫梁，所述橫梁由兩個臂固持在兩個不同點處；本體；以及反熔絲絕緣區(qū)域，所述橫梁、所述本體以及所述臂是金屬并且位于同一金屬化層級內(nèi)，所述本體和所述橫梁經(jīng)由所述反熔絲絕緣區(qū)域相互接觸，所述反熔絲絕緣區(qū)域被配置成用于在所述本體與所述橫梁之間存在擊穿電位差的情況下經(jīng)受擊穿。

2.根據(jù)權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述橫梁、所述兩個臂以及所述本體包括第一金屬，并且所述至少一個反熔絲絕緣區(qū)域包括所述第一金屬的氧化物。

3.根據(jù)權利要求2所述的集成電路，其特征在于，所述第一金屬是銅或鋁。

4.根據(jù)權利要求2或3所述的集成電路，其特征在于，所述反熔絲絕緣區(qū)域的厚度至少等于2nm小于等于20nm。

5.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的集成電路，其特征在于，所述兩個臂基本平行于第一方向延伸，并且所述橫梁相對于與所述第一方向正交的第二方向具有非零角度偏差。

6.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的集成電路，其特征在于，在所述橫梁的中心部分附近，在所述橫梁的兩個相反面上，將所述兩個臂分別固定到所述橫梁上，所述兩個臂固定到所述橫梁所處的所述兩個固定點在所述橫梁的縱向方向上被間隔開。

7.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的集成電路，其特征在于，所述本體包括支座，所述支座經(jīng)由所述反熔絲絕緣區(qū)域與所述橫梁的兩端之一進行接觸。

8.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的集成電路，其特征在于，所述反熔絲絕緣區(qū)域包括兩個反熔絲部分，所述本體包括兩個支座，所述支座經(jīng)由所述兩個反熔絲部分分別與所述橫梁的兩端進行接觸，所述兩個反熔絲部分中的至少一個反熔絲部分被配置成用于在所述支座中的至少一個支座與所述橫梁之間存在所述擊穿電位差的情況下經(jīng)受擊穿。

9.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的集成電路，其特征在于，所述集成電路包括多個反熔絲結構。

10.根據(jù)權利要求9所述的集成電路，其特征在于，所述反熔絲結構中的至少一個反熔絲結構包括已經(jīng)經(jīng)受擊穿的反熔絲絕緣區(qū)域，并且所述反熔絲結構中的至少一個反熔絲結構包括尚未經(jīng)受擊穿的反熔絲絕緣區(qū)域。

11.一種集成電路系統(tǒng)，其特征在于，所述集成電路系統(tǒng)包括：根據(jù)權利要求1至10中任一項所述的集成電路；以及被配置成用于在所述反熔絲結構中的至少一個反熔絲結構兩端施加所述擊穿電位差的裝置。