[實用新型]基于MEMS技術(shù)的差壓流量傳感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720446896.5 | 申請日： | 2017-04-26 |
| 公開（公告）號： | CN206818257U | 公開（公告）日： | 2017-12-29 |
| 發(fā)明（設計）人： | 王建國;申亞琪 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州捷研芯納米科技有限公司 |
| 主分類號： | G01F1/38 | 分類號： | G01F1/38 |
| 代理公司： | 南京艾普利德知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(特殊普通合伙)32297 | 代理人： | 陸明耀 |
| 地址： | 215123 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 mems 技術(shù) 流量傳感器 | ||
1.基于MEMS技術(shù)的差壓流量傳感器，用于低流速流量監(jiān)測，其特征在于：包括設置于同一外殼（3）的內(nèi)腔中的MEMS差壓傳感器芯片封裝體（1）及信號處理電路板（2），所述MEMS差壓傳感器芯片封裝體（1）設置于所述信號處理電路板（2）上并與其連接通信，且所述MEMS差壓傳感器芯片封裝體（1）的去向壓力導壓口（11）與信號處理電路板（2）上的通孔（21）共軸以及與所述外殼（3）上的一個導通孔（31）共軸且四周密封連接，所述MEMS差壓傳感器芯片封裝體（1）的來向壓力導壓口（12）與外殼（3）上的另一導通孔（31）共軸并四周密封連接；所述MEMS差壓傳感器芯片封裝體（1）及信號處理電路板（2）通過填充所述外殼（3）的內(nèi)腔的防水密封層（4）密封固定，所述信號處理電路板（2）上連接引出線纜（5），所述引出線纜（5）延伸到所述外殼（3）和防水密封層（4）外。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于MEMS技術(shù)的差壓流量傳感器，其特征在于：所述MEMS差壓傳感器芯片封裝體（1）包括量程在0-10kPa的硅壓阻式差壓芯片，其壓力應變膜為微米級并采用恒流源或恒壓源供電。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于MEMS技術(shù)的差壓流量傳感器，其特征在于：所述MEMS差壓傳感器芯片封裝體（1）與信號處理電路板（2）通過鍵合線連接通信，所述鍵合線的弧高度小于60um，且其包覆于防水膠層（6）中。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于MEMS技術(shù)的差壓流量傳感器，其特征在于：所述外殼（3）至少包括探測段（33）及連接段（34），所述MEMS差壓傳感器芯片封裝體（1）位于所述探測段（33）所在的內(nèi)腔區(qū)域，所述連接段（34）用于與流體管道（7）密封連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于MEMS技術(shù)的差壓流量傳感器，其特征在于：所述連接段（34）包括一段外螺紋、密封圈（341）及限位凸臺（342），所述密封圈（341）位于所述外螺紋的根部并與所述限位凸臺（342）的側(cè)壁貼合。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于MEMS技術(shù)的差壓流量傳感器，其特征在于：所述連接段（34）包括兩個位于兩個導通孔（31）所在表面上且對稱的坡面（343），所述坡面（343）的后端設置有防水密封圈（344），所述防水密封圈（344）抵靠于第一凸臺（345）的一側(cè)，所述第一凸臺（345）的另一側(cè)與第二凸臺（346）配合形成一凹槽（347）。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述的基于MEMS技術(shù)的差壓流量傳感器，其特征在于：所述外殼（3）的內(nèi)壁上設置有支撐臺階（35），所述支撐臺階（35）與一個導通孔的孔壁配合形成用于放置信號處理電路板（2）的支撐面。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基于MEMS技術(shù)的差壓流量傳感器，其特征在于：兩個所述導通孔（31）為沉孔或臺階狀，其內(nèi)密封設置有導壓膜片（8），所述導壓膜片（8）密封的區(qū)域內(nèi)填充有傳壓介質(zhì)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基于MEMS技術(shù)的差壓流量傳感器，其特征在于：所述防水密封層（4）包括第一灌封層（41）和第二灌封層（42），
所述第一灌封層（41）至少填充所述MEMS差壓傳感器芯片封裝體所在的內(nèi)腔區(qū)域；
所述第二灌封層（42）至少填充所述引出線纜（5）和信號處理電路板（2）連接點到第一灌封層（41）之間的內(nèi)腔區(qū)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基于MEMS技術(shù)的差壓流量傳感器，其特征在于：所述第一灌封層（41）為納米復合高分子聚合物材料；所述第二灌封層（42）為硅膠類和/或環(huán)氧類膠水。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基于MEMS技術(shù)的差壓流量傳感器，其特征在于：所述第二灌封層（42）包括一次灌封層（421）和二次灌封層（422），所述一次灌封層（421）至少覆蓋所述信號處理電路板（2）上的信號放大器件（22）和處理芯片（23），所述二次灌封層（422）至少覆蓋整個信號處理電路板（2）。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基于MEMS技術(shù)的差壓流量傳感器，其特征在于：所述基于MEMS技術(shù)的差壓流量傳感器的量程在0.1-30L/min。
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