[實(shí)用新型]背照式圖像傳感器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201720444920.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-04-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN207320116U | 公開(公告)日: | 2018-05-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | D·貝努瓦;O·欣西格;E·格維斯特 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 意法半導(dǎo)體(克洛爾2)公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所11256 | 代理人: | 王茂華,張昊 |
| 地址: | 法國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 背照式 圖像傳感器 | ||
1.一種背照式圖像傳感器,其特征在于,包括存儲(chǔ)器區(qū)域(9),所述存儲(chǔ)器區(qū)域形成于半導(dǎo)體晶圓中,每個(gè)存儲(chǔ)器區(qū)域位于兩個(gè)不透明壁(80)之間,所述兩個(gè)不透明壁延伸到所述晶圓中并且與安排在所述存儲(chǔ)器區(qū)域的后表面處的不透明屏幕(96)接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的傳感器,其特征在于,對(duì)于每個(gè)存儲(chǔ)器區(qū)域(9),所述不透明壁(80)和所述不透明屏幕(96)是導(dǎo)電的并且連接至偏置電位的施加節(jié)點(diǎn)。
3.如權(quán)利要求1所述的傳感器,其特征在于,所述不透明壁(80)和所述不透明屏幕(96)由鎢制成,并且所述不透明壁具有在從50nm到200nm范圍內(nèi)的厚度。
4.如權(quán)利要求1所述的傳感器,其特征在于,所述不透明壁(80)通過氧化鉿層(70)與所述存儲(chǔ)器區(qū)域(9)分離。
5.如權(quán)利要求1所述的傳感器,其特征在于,每個(gè)不透明壁(80)通過多晶硅層(15,40)與相關(guān)聯(lián)存儲(chǔ)器區(qū)域(9)分離,所述多晶硅層通過氧化硅層(13)與所述相關(guān)聯(lián)存儲(chǔ)器區(qū)域分離。
6.如權(quán)利要求5所述的傳感器,其特征在于,所述不透明壁(80)通過氧化鉿層(70)與所述多晶硅層(15,40)分離。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





