[實用新型]用于將光脈沖轉換為電子脈沖的設備和時鐘信號發生器

有效

• 申請號: 201720444919.9
• 申請日: 2017-04-25
• 公開（公告）號: CN207321218U
• 公開（公告）日: 2018-05-04
• 發明（設計）人: H·澤格芒特;D·派徹;S·勒圖爾
• 申請（專利權）人: 意法半導體有限公司
• 主分類號: H03K3/02
• 分類號: H03K3/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 王茂華,張昊

1.一種用于將光脈沖(310)轉換為電子脈沖(314)的設備，其特征在于，所述設備包括具有第一和第二端子并且能夠接收源自鎖模激光源(202)的脈沖激光信號(204)的光敏電阻器(302)，其中：

所述第一端子經由并聯連接的電阻元件(214)和電容元件(304)聯接至用于施加參考電勢GND的節點；并且

所述第二端子連接至用于施加電源電勢VDC的節點(210)。

2.根據權利要求1所述的設備，其特征在于，在導通狀態下，所述電容元件(304)的電容C與所述光敏電阻器(302)的電阻值R_導通的乘積小于3ps。

3.根據權利要求1或2所述的設備，其特征在于，規定所述光敏電阻器(302)在所述光脈沖(310)期間具有小于50Ω的電阻值R_導通。

4.根據權利要求1或2所述的設備，其特征在于，所述光敏電阻器(302)包括摻雜為小于5*10¹⁶atoms/cm³并且配備有以3μm至9μm之間的距離隔開的兩個觸點(412，414)的半導體區域(406)。

5.根據權利要求4所述的設備，其特征在于，所述半導體區域(406)由鍺制成，并且所述光脈沖(310)的中心波長在1.3μm至1.8μm之間。

6.根據權利要求4所述的設備，其特征在于，所述半導體區域(406)在波導(208)的硅芯的漏斗狀部分的延伸段上。

7.根據權利要求4所述的設備，其特征在于，所述半導體區域(406)的長度在15μm至20μm之間。

8.根據權利要求1或2所述的設備，其特征在于，所述光敏電阻器(302)的所述第一端子聯接至放大器(216)的輸入端。

9.根據權利要求1或2所述的設備，其特征在于，所述電阻元件(214)的電阻值R在所述光敏電阻器在導通狀態R_導通和在斷開狀態R_斷開下的電阻值之間。

10.根據權利要求9所述的設備，其特征在于，所述電阻元件(214)的電阻值R等于所述光敏電阻器在導通狀態和在斷開狀態下的電阻值的乘積的平方根。

11.根據權利要求1或2所述的設備，其特征在于，所述電容元件(304)的電容C和與所述電阻元件(214)并聯的所述光敏電阻器(302)在斷開狀態下相對應的電阻值的乘積與大于100ps的持續時間t_斷開相對應。

12.一種時鐘信號發生器，其特征在于，包括根據權利要求1至11中任一項所述的設備。