[實(shí)用新型]圖像傳感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720428717.5 | 申請日: | 2017-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN206727071U | 公開(公告)日: | 2017-12-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | B·P·班納徹沃茲;S·伯薩庫爾;M·米利納爾;U·博提格;A·E·帕克金斯 | 申請(專利權(quán))人: | 半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所11038 | 代理人: | 歐陽帆 |
| 地址: | 美國亞*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 圖像傳感器 | ||
1.一種圖像傳感器,所述圖像傳感器具有像素陣列,其中所述像素陣列包括:
收集圖像數(shù)據(jù)的多個(gè)圖像像素;和
收集相位信息的多個(gè)相位檢測像素,其中所述相位檢測像素以相位檢測像素組來布置,并且其中每個(gè)相位檢測像素組包括三個(gè)相鄰像素。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其中每個(gè)相位檢測像素組的所述三個(gè)相鄰像素由單個(gè)微透鏡覆蓋。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其中每個(gè)相位檢測像素組的三個(gè)相鄰像素包括第一像素、第二像素和第三像素,其中所述第二像素插入在所述第一像素和所述第三像素之間,其中第一微透鏡覆蓋所述第一像素以及所述第二像素的至少一部分,并且其中第二微透鏡覆蓋所述第三像素以及所述第二像素的至少另外部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖像傳感器,其中所述第一微透鏡覆蓋所述第一像素的全部以及所述第二像素的第一半,并且其中所述第二微透鏡覆蓋所述第三像素的全部以及所述第二像素的第二半。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,還包括:
濾色器陣列,其中每個(gè)相位檢測像素包括各自的濾色器元件,并且其中所述相位檢測像素的所述濾色器元件全部都是相同的顏色。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其中,每個(gè)相位檢測像素組的三個(gè)相鄰像素包括第一像素、第二像素和第三像素,所述圖像傳感器還包括:
濾色器陣列,其中每個(gè)相位檢測像素包括各自的濾色器元件,其中所述第一像素和所述第三像素包括第一顏色的濾色器元件,并且其中所述第二像素包括與所述第一顏色不同的第二顏色的濾色器元件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖像傳感器,其中所述第二像素通過背面深溝槽隔離結(jié)構(gòu)與所述第一像素和所述第三像素分開。
8.一種圖像傳感器,所述圖像傳感器具有像素陣列,其中所述像素陣列包括:
收集圖像數(shù)據(jù)的多個(gè)圖像像素,其中所述多個(gè)圖像像素包括具有第一積分時(shí)間的第一組圖像像素和具有第二積分時(shí)間的第二組圖像像素,其中所述第一積分時(shí)間與所述第二積分時(shí)間不同;以及
收集相位信息的多個(gè)相位檢測像素,其中所述多個(gè)相位檢測像素以相位檢測像素組來布置,其中每個(gè)相位檢測像素組包括在一條直線上連續(xù)布置的第一像素、第二像素和第三像素,并且其中所述第二像素插入在所述第一像素和所述第三像素之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圖像傳感器,其中每個(gè)相位檢測像素組的所述第一像素和所述第三像素具有所述第一積分時(shí)間,并且其中每個(gè)相位檢測像素組的所述第二像素具有所述第二積分時(shí)間。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圖像傳感器,其中所述第一積分時(shí)間比所述第二積分時(shí)間長。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





