[實用新型]一種溫度自補償的化合物半導體功率放大器有效
| 申請號： | 201720422466.X | 申請日： | 2017-04-21 |
| 公開（公告）號： | CN206672918U | 公開（公告）日： | 2017-11-24 |
| 發明（設計）人： | 不公告發明人 | 申請（專利權）人： | 夏令 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L25/07 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100093 北京市海*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 溫度 補償 化合物 半導體 功率放大器 | ||
1.一種化合物半導體功率放大器，包括放大器封裝外殼（7）、化合物半導體肖特基二極管（5），高電子遷移率晶體管（6），信號輸入接口（1）、肖特基二極管陰極接口（2），高電子遷移率晶體管源極接口（3），高電子遷移率晶體管漏極接口（4），其特征在于：上述肖特基二極管的陽極金屬層（13）與上述高電子遷移率晶體管柵極金屬層（20）結構相同，上述肖特基二極管的勢壘層（15）與上述高電子遷移率晶體管隔離層（18）采用同一種化合物半導體，上述肖特基二極管的陽極金屬層（13）與上述高電子遷移率晶體管柵極金屬層（20）通過導電線連接并與上述信號輸入接口（1）連接。
2.根據權利要求1所述的化合物半導體功率放大器，其特征在于，上述肖特基二極管的勢壘層（15）與上述高電子遷移率晶體管隔離層（18）采用的化合物半導體為鋁鎵砷AlxGa1-xAs （0<= x <= 1）。
3.根據權利要求1所述的化合物半導體功率放大器，其特征在于，上述肖特基二極管的勢壘層（15）與上述高電子遷移率晶體管隔離層（18）采用的化合物半導體為鋁鎵氮AlyGa1-yN（0<= y <= 1）。
4.根據權利要求1所述的化合物半導體功率放大器，其特征在于，上述肖特基二極管的陽極金屬層（13）與上述高電子遷移率晶體管柵極金屬層（20）采用的金屬結構包含鎳（Ni）、金（Au）、鉑（Pt）、鈦（Ti）、鋁（Al）、鎢(W)中的一種。
5.根據權利要求1所述的化合物半導體功率放大器，其特征在于，上述肖特基二極管的勢壘層（15）與上述高電子遷移率晶體管隔離層（18）的厚度大于0.1納米并小于200納米。
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