[實用新型]足浴盆

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720410147.7
• 申請日: 2017-04-18
• 公開（公告）號: CN207429022U
• 公開（公告）日: 2018-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李士剛;陸旭東;邱勝
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳氫愛天下健康科技控股有限公司
• 主分類號: A47K3/022
• 分類號: A47K3/022;A61H33/02;C25B1/04;C25B9/06
• 代理公司: 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371
• 代理人: 畢翔宇

1.一種足浴盆，其特征在于，包括盆體，和設(shè)置于所述盆體內(nèi)的制氫組件和電連接所述制氫組件的控制電路；所述制氫組件包括陰極片和陽極片，所述陰極片和陽極片不接觸并且圍成一電解區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的足浴盆，其特征在于，所述制氫組件還包括設(shè)置于所述陰極片和陽極片之間的透水絕緣膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的足浴盆，其特征在于，所述陰極片、透水絕緣膜和陽極片依次疊加設(shè)置。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的足浴盆，其特征在于，所述陰極片為鈦片。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的足浴盆，其特征在于，所述陽極片為鈦片。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的足浴盆，其特征在于，所述制氫組件還包括底座和上蓋，所述底座和上蓋蓋合以形成一容置所述陰極片、透水絕緣膜和陽極片的容置腔。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的足浴盆，其特征在于，所述制氫組件還包括用以安裝陰極片并且設(shè)置于所述電解區(qū)外的陰極安裝片。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的足浴盆，其特征在于，還包括設(shè)置于所述盆體內(nèi)的氣泡生成器。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的足浴盆，其特征在于，所述盆體包括套接的外盆和內(nèi)盆。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的足浴盆，其特征在于，還包括設(shè)置于所述盆體內(nèi)的溫度傳感器。