[實用新型]一種逆變電路有效
| 申請號: | 201720403977.7 | 申請日: | 2017-04-17 |
| 公開(公告)號: | CN206620069U | 公開(公告)日: | 2017-11-07 |
| 發明(設計)人: | 于靈芝 | 申請(專利權)人: | 南京卡普科技有限公司 |
| 主分類號: | H02M7/537 | 分類號: | H02M7/537 |
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| 地址: | 211505 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電路 | ||
技術領域
本實用新型涉及電子電路技術領域,尤其涉及一種逆變電路。
背景技術
在醫療領域普遍采用IGBT模塊來進行驅動,設計簡便,方案成熟,但是無法達到更高的逆變頻率也就將X射線的穩定性限制住,無法再做進一步的提升。
實用新型內容
有鑒于此,本實用新型的目的是提供一種逆變電路,以解決現有技術中的不足。
為了達到上述目的,本實用新型的目的是通過下述技術方案實現的:
提供一種逆變電路,包括第一互感器、全波整流器、第二互感器、第一極性電容、第二極性電容、無極性電容、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第十五MOS管、第十六MOS管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第一穩壓管、第二穩壓管、第三穩壓管和第四穩壓管,所述第一互感器、所述全波整流器和所述第二互感器依次連接,所述第二互感器的兩端分別連接所述第一極性電容的兩端,所述第一極性電容的正極分別連接所述第一MOS管的D端、所述第二MOS管的D端、所述第三MOS管的D端、所述第四MOS管的D端、所述第九MOS管的D端、所述第十MOS管的D端、所述第十一MOS管的D端、所述第十二MOS管的D端、所述第二極性電容的正極和所述無極性電容的一端,所述第一極性電容的負極分別連接所述第五MOS管的S端、所述第六MOS管的S端、所述第七MOS管的S端、所述第八MOS管的S端、所述第十三MOS管的S端、所述第十四MOS管的S端、所述第十五MOS管的S端、所述第十六MOS管的S端、所述第二極性電容的負極和所述無極性電容的另一端,所述第一MOS管的G端分別連接所述第一電阻的一端和所述第一穩壓管的負極,所述第一電阻的另一端分別連接所述第一穩壓管的正極、所述第一MOS管的S端、所述第二MOS管的S端、所述第三MOS管的S端、所述第四MOS管的S端、所述第五MOS管的D端、所述第六MOS管的D端、所述第七MOS管的D端和所述第八MOS管的D端,所述第九MOS管的G端分別連接所述第二電阻的一端和所述第二穩壓管的負極,所述第二電阻的另一端分別連接所述第二穩壓管的正極、所述第九MOS管的S端、所述第十MOS管的S端、所述第十一MOS管的S端和所述第十二MOS管的S端,所述第十三MOS管的G端分別連接所述第三電阻的一端和所述第三穩壓管的負極,所述第三電阻的另一端分別連接所述第三穩壓管的正極、所述第十三MOS管的S端、所述第十四MOS管的S端、所述第十五MOS管的S端和所述第十六MOS管的S端,所述第九MOS管的S端連接所述第十三MOS管的D端,所述第五MOS管的G端分別連接所述第四電阻的一端和所述第四穩壓管的負極,所述第四電阻的另一端分別連接所述第四穩壓管的正極、所述第五MOS管的S端、所述第六MOS管的S端、所述第七MOS管的S端和所述第八MOS管的S端。
上述逆變電路,其中,所述第一MOS管、所述第二MOS管、所述第三MOS管、所述第四MOS管、所述第五MOS管、所述第六MOS管、所述第七MOS管、所述第八MOS管、所述第九MOS管、所述第十MOS管、所述第十一MOS管、所述第十二MOS管、所述第十三MOS管、所述第十四MOS管、所述第十五MOS管和所述第十六MOS管均為N溝道MOS管。
上述逆變電路,其中,所述第一電阻、所述第二電阻、所述第三電阻和所述第四電阻均為5.1kΩ,所述第一極性電容為1500μF,所述第二極性電容為300μF,所述無極性電容為2μF。
與已有技術相比,本實用新型的有益效果在于:
系統采用MOS管設計,使得逆變頻率可以大幅提升,輸出電壓的穩定性得到了良好的保障,相比于采用IGBT模塊頻率高,好維修,同時節省成本,采用的互感器進行電流波形采集,保證了整個逆變模塊工作在穩定狀態,如果出現故障能在最短時間內進行停止工作防止設備的損壞或發生危險。
附圖說明
構成本實用新型的一部分的附圖用來提供對本實用新型的進一步理解,本實用新型的示意性實施例及其說明用于解釋本實用新型,并不構成對本實用新型的不當限定。在附圖中:
圖1示出了本實用新型逆變電路的結構示意圖。
具體實施方式
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