[實用新型]一種加熱腔體及具有該加熱腔體的去氫裝置有效
| 申請號: | 201720399337.3 | 申請日: | 2017-04-17 |
| 公開(公告)號: | CN206610795U | 公開(公告)日: | 2017-11-03 |
| 發明(設計)人: | 譚朋利;齊之剛 | 申請(專利權)人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;G09F9/00 |
| 代理公司: | 北京國昊天誠知識產權代理有限公司11315 | 代理人: | 許志勇 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 加熱 具有 裝置 | ||
技術領域
本申請涉及面板制作領域,尤其涉及一種加熱腔體及具有該加熱腔體的去氫裝置。
背景技術
在面板制作工藝過程中,需要對面板進行去氫處理。通常是將面板從傳送腔體傳送至加熱腔體內做去氫處理。然而,在傳送腔體與加熱腔體之間進行面板傳送的過程中,由于傳送腔體和加熱腔體之間存在氣壓差,導致傳送腔體中的微粒會隨著氣流涌入加熱腔體內,進而導致加熱腔體內的基板承載板會聚集較多的微粒,從而影響加熱腔體的潔凈度。
目前,提高加熱腔體內的壓力,可以降低加熱腔體和傳送腔體之間的壓力差,從而能夠在一定程度上解決基板承載板聚集較多微粒的問題。但是,由于加熱腔體為真空加熱腔體,壓力升高對去氫能力存在一定不利影響,且還可能造成穩定性方面的隱患。
因此,如何在保證去氫能力的前提下,有效地防止加熱腔體內聚集較多的微粒,是本領域技術人員需要解決的技術問題。
實用新型內容
本申請實施例提供一種加熱腔體,用于解決現有技術中,不能在保證去氫能力的前提下,有效地解決加熱腔體內聚集較多的微粒的問題。
本申請實施例還提供一種去氫裝置,用于解決現有技術中,不能在保證去氫能力的前提下,有效地解決加熱腔體內聚集較多的微粒的問題。
本申請實施例采用下述技術方案:
第一方面,本申請提供了一種加熱腔體,所述加熱腔體包括:
腔體,所述腔體具有開口;
設置于所述腔體內的基板承載板,以及
擋板,所述擋板位于所述開口和所述基板承載板之間,并能遮擋所述開口。
由于本申請中,擋板正對著加熱腔體的開口,以對氣流的流入起到阻礙作用,能夠有效阻擋攜帶微粒的氣流涌入腔體內甚至到達基板承載板上,對基板承載板上承載的基板的去氫能力不會產生不利地影響,因此可以在保證去氫能力的前提下,有效地解決加熱腔體內聚集較多微粒的問題。
進一步的,所述擋板為可升降擋板,所述加熱腔體還包括:
驅動所述可升降擋板升降的第一驅動裝置,所述第一驅動裝置的驅動端與所述可升降擋板連接。
進一步的,所述擋板為可伸縮擋板,所述可伸縮擋板包括:第一子擋板和與所述第一子擋板滑動連接的第二子擋板;
所述加熱腔體還包括:
第二驅動裝置,所述第二驅動裝置的驅動端與所述第一子擋板連接,所述第二驅動裝置構造為驅動所述第一子擋板相對所述第二子擋板滑動至預定位置時,所述第一子擋板遮擋所述開口。
進一步的,所述擋板為卷曲擋板,所述加熱腔體還包括:
第三驅動裝置,所述第三驅動裝置的驅動端與所述卷曲擋板連接,
所述第三驅動裝置構造為驅動所述卷曲擋板展開或卷曲,當所述卷曲擋板展開時,所述卷曲擋板遮擋所述開口。
進一步的,為了降低基板承載板的朝向開口的邊緣的熱耗散,及使基板承載板各邊緣的溫度均衡,所述基板承載板水平設置,所述擋板為第一加熱板,所述加熱腔體還包括:
第二加熱板,所述第二加熱板與所述第一加熱板相對設置在所述基板承載板兩側。
進一步的,為了進一步使基板承載板各邊緣的溫度均衡,所述加熱腔體還包括:
頂加熱板和底加熱板,所述頂加熱板和底加熱板平行于所述基板承載板設置,且所述基板承載板位于所述頂加熱板和底加熱板之間。
進一步的,為了確保加熱腔體內的溫度均衡,所述基板承載板的數量為M,所述M個基板承載板平行設置,
所述加熱腔體還包括:M+1個第三加熱板,所述M+1個第三加熱板分別與所述M個基板承載板平行相間地設置,M為大于等于2的正整數。
進一步的,所述第一加熱板可從所述開口處移除,所述加熱腔體還包括:
左加熱板和右加熱板,所述左加熱板和右加熱板均與所述第二加熱板相鄰,且所述基板承載板位于所述左加熱板和右加熱板之間。
進一步的,為了確保基板承載板移動時周邊溫度均衡,所述第二加熱板、所述第三加熱板、左加熱板和右加熱板分別與所述基板承載板固定連接,以形成盒狀結構。
進一步的,所述加熱腔體還包括:
第四驅動裝置,所述第四驅動裝置的驅動端與所述M個基板承載板連接,
所述第四驅動裝置構造為驅動所述M個基板承載板中的每一個依次移至所述開口處。
第二方面,本申請提供了一種去氫裝置,所述裝置包括:加熱腔體、設置在所述加熱腔體的開口上的門閥及通過所述開口與所述加熱腔體連接的傳送腔體;其中,所述加熱腔體包括:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





