[實用新型]大型電機的電壓檢測裝置

有效

• 申請號: 201720397053.0
• 申請日: 2017-04-15
• 公開（公告）號: CN206725635U
• 公開（公告）日: 2017-12-08
• 發明（設計）人: 陳凱
• 申請（專利權）人: 深圳市容亮電子有限公司
• 主分類號: G01R19/00
• 分類號: G01R19/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及電機驅動的電壓檢測，更具體地說它涉及一種大型電機的電壓檢測裝置。

背景技術

現有技術中的為了檢測中小型電機的運行狀態，常會對中小型電機運行時的電壓和電流進行采樣檢測，并通過顯示裝置顯示采樣結果。現有一般采用霍爾原理的傳感器檢測小型電機的電壓和電流；但是霍爾傳感器在電流和電壓的檢測時，易受其他磁場的干擾，產生一定的誤差；無法對大型電機的電流進行精準的檢測。

因而現有技術中為了準確的測量大型電機的電壓，會通過采樣裝置直接連接在大型電機的運行電路上獲取運行電壓，通過和檢測裝置設置電壓值恒定的基準電壓，通過測量基準電壓和運行電壓之間的壓降大小，比確定運行電壓的大小。

而現有的基準電壓通過兩個阻值相同的電阻對電壓電阻進行分壓，再通過兩個電阻之間的節點輸出基準電壓；因而只要有一個電阻存在問題，就會導致基準電壓變化。而基準電壓變化，會導致就算電機處在正常情況，檢測裝置測得也可能測得不正常的運行電壓。

實用新型內容

針對現有技術存在的不足，本實用新型的目的在于提供一種大型電機的電壓檢測裝置，在于能夠檢測基準電壓是否準確。

為實現上述目的，本實用新型提供了如下技術方案：一種大型電機的電壓檢測裝置，包括

觸發電路，包括有手控按鈕，所述觸發電路在手控按鈕按下時，輸出觸發信號；

基準電路，包括有串聯的第一基準電阻R1和第二基準電阻R2與分別連接于第一基準電阻R1和第二基準電阻R2的可控開關組，當所述可控開關組未得到控制信號時，第一基準電阻R1遠離第二基準電阻R2的一端連接電源電壓VCC，第二基準電阻R2遠離第一基準電阻R1的一端接地；而當所述可控開關組得到控制信號時，第一基準電阻R1遠離第二基準電阻R2的一端接地，第二基準電阻R2遠離第一基準電阻R1的一端連接電源電壓VCC，第一基準電阻R1和第二基準電阻R2之間的設置有用于輸出基準電壓的基準節點；

保持電路，電連接基準節點，包括控制開關Q5；當所述控制開關Q5在未收到控制信號時，所述保持電路與基準節點接通，輸出基準電壓；而當所述控制開關Q5在收到控制信號時，所述保持電路與基準節點斷開，輸出斷開前的基準節點電壓；

檢測電路，連接基準電壓和保持電路的輸出端，用于檢測保持電路(7)的輸出電壓與基準電壓是否相等，并在保持電路的輸出電壓與基準電壓不等時，輸出檢測信號；

指示裝置，用于當檢測電路輸出控制信號后，發出指示；

控制裝置，電連接于檢測電路的輸出端、指示裝置的輸入端、觸發電路的輸出端、可控開關組和控制開關Q5的控制端，當接收到觸發電路輸出的觸發信號時，向可控開關組和控制開關Q5輸出控制信號；而當接收到檢測電路輸出的檢測信號時，向指示裝置輸出控制信號。

通過采用上述技術方案，當按下手控按鈕，驅動可控開關組動作，來驅動第一基準電阻R1和第二基準電阻R2兩端的電源電壓VCC和接地線翻轉；通過驅動控制開關Q5動作，驅動保持電路保持輸出斷開前的基準節點電壓；在通過檢測電路將翻轉前基準電壓和翻轉后的基準電壓進行比較，如果相同則說明，第一基準電阻R1和第二基準電阻R2的阻值保持一致，基準電壓正常，因此檢測電路不輸出檢測信號；如果不相同，則第一基準電阻R1和第二基準電阻R2的阻值不一致，基準電壓不正常，因此檢測電路輸出檢測信號。控制裝置在接收檢測信號，向指示裝置輸出控制信號，使得指示裝置發出指示。因而通過上述方案，在按下手控按鈕后，如果存在第一基準電阻R1或第二基準電阻R2因老化而造成阻值變化，則指示裝置發出指示。

本實用新型進一步設置為：所述可控開關組包括兩個常閉的第一半導體開關和兩個常開的第二半導體開關；兩個第一半導體開關的兩端分別連接電源電壓VCC、第一基準電阻R1遠離第二基準電阻R2的一端和接地線、第二基準電阻R2遠離第一基準電阻R1的一端；兩個第二半導體開關的兩端分別連接源電壓、第二基準電阻R2遠離第一基準電阻R1的一端和接地線、第一基準電阻R1遠離第二基準電阻R2的一端。

通過采用上述技術方案，在可控開關組不接收控制信號時，兩個第一半導體開關處在導通狀態，基準電壓等于第二基準電阻R2的電壓；而當在可控開關組接收控制信號時，兩個第一半導體開關斷開；兩個第二半導體開關閉合，基準電壓等于第一基準電阻R1的電壓。因而在兩次輸出的基準電壓信號如果相同，則第一基準電阻R1和第二基準電阻R2 的阻值相同。

本實用新型進一步設置為：所述第一半導體開關為P溝道耗盡型MOS管，所述第二半導體開關為N溝道增強型MOS管。