[實用新型]一種太赫茲透鏡檢測系統

有效

• 申請號: 201720382468.0
• 申請日: 2017-04-13
• 公開（公告）號: CN206876570U
• 公開（公告）日: 2018-01-12
• 發明（設計）人: 申彥春;趙國忠;周璐
• 申請（專利權）人: 首都師范大學
• 主分類號: G01N21/3586
• 分類號: G01N21/3586
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種太赫茲透鏡檢測系統，其特征在于，包括太赫茲波源(1)、準直擴束系統(2)、高阻硅片(3)、氬離子激光器(4)、第一離軸拋物面鏡(5)、第二離軸拋物面鏡(6)、哈特曼板(7)、太赫茲透鏡(8)、第三離軸拋物面鏡(9)、太赫茲波探測器(10)和計算機(11)；

所述太赫茲波源(1)發射出的光束依次通過所述準直擴束系統(2)、所述高阻硅片(3)、所述第一離軸拋物面鏡(5)、所述第二離軸拋物面鏡(6)、所述哈特曼板(7)、所述太赫茲透鏡(8)和所述第三離軸拋物面鏡(9)，所述太赫茲波探測器(10)接收從所述第三離軸拋物面鏡(9)匯聚的所述光束，所述太赫茲波探測器(10)與所述計算機(11)電連接；

所述氬離子激光器(4)照射到高阻硅片(3)上。

2.根據權利要求1所述一種太赫茲透鏡檢測系統，其特征在于，所述太赫茲波源(1)為返波振蕩器、量子級聯激光器或CO₂激光抽運連續波太赫茲輻射源。

3.根據權利要求1所述一種太赫茲透鏡檢測系統，其特征在于，所述太赫茲波源(1)工作頻率設置為0.1THz-8THz。

4.根據權利要求1所述一種太赫茲透鏡檢測系統，其特征在于，所述的準直擴束系統(2)為開普勒型或伽利略型準直擴束系統。

5.根據權利要求1所述一種太赫茲透鏡檢測系統，其特征在于，所述高阻硅片(3)厚度為500μm，所述高阻硅片(3)半徑為30mm，所述高阻硅片(3)電阻率為10000Ω*cm。

6.根據權利要求1所述一種太赫茲透鏡檢測系統，其特征在于，所述太赫茲透鏡(8)的材質為聚四氟乙烯。

7.根據權利要求1所述一種太赫茲透鏡檢測系統，其特征在于，所述太赫茲波探測器(10)為焦平面陣列探測器。

8.根據權利要求1或7所述一種太赫茲透鏡檢測系統，其特征在于，所述太赫茲波探測器(10)為日本NEC公司的I RV-T0831C焦平面陣列相機。