[實(shí)用新型]一種用于晶體硅太陽(yáng)能電池管式擴(kuò)散的石英舟有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201720379151.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-04-12 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN206976304U | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-02-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王寶磊;羅飛;孫占峰;李小玄;張巖 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西安黃河光伏科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/673 | 分類號(hào): | H01L21/673;H01L31/18 |
| 代理公司: | 西北工業(yè)大學(xué)專利中心61204 | 代理人: | 華金 |
| 地址: | 710043 陜*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 晶體 太陽(yáng)能電池 擴(kuò)散 石英 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及晶體硅太陽(yáng)能電池領(lǐng)域硅片加工設(shè)備,具體涉及一種管式擴(kuò)散的載片裝置。
背景技術(shù)
晶硅太陽(yáng)能電池是以晶硅半導(dǎo)體為主要材料,其吸收太陽(yáng)光能后發(fā)生光電轉(zhuǎn)換,從而產(chǎn)生電流。太陽(yáng)光用之不盡、取之不竭,因此晶硅太陽(yáng)能電池是目前被廣泛使用的最為綠色環(huán)保的可再生能源,被許多國(guó)家列為重點(diǎn)發(fā)展項(xiàng)目。在中國(guó),由于近些前來(lái)霧霾嚴(yán)重,以及隨著人們環(huán)保意識(shí)的不斷增強(qiáng),太陽(yáng)能發(fā)電更是得到了政府的大力支持,因此,太陽(yáng)能電池行業(yè)涌入了大量的企業(yè)和人才,隨之競(jìng)爭(zhēng)也異常殘酷。所以提高晶硅太陽(yáng)電池的質(zhì)量就顯得格外重要。對(duì)于晶體硅太陽(yáng)能電池的擴(kuò)散,其工藝過(guò)程是先將硅片插入石英舟舟槽內(nèi),再送進(jìn)一個(gè)高溫密閉的爐腔內(nèi)進(jìn)行擴(kuò)散。但由于擴(kuò)散過(guò)程中,硅片與舟槽接觸的位置較難充分接觸反應(yīng)氣體,致使硅片與舟槽接觸的位置方阻異常,在檢查電池片的EL圖像時(shí),硅片與舟槽接觸的位置顏色較暗,俗稱EL舟槽印,超過(guò)一定面積和數(shù)量,則降級(jí),導(dǎo)致了晶硅太陽(yáng)能電池的EL合格品率降低。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的技術(shù)問(wèn)題是:在對(duì)晶體硅太陽(yáng)能電池進(jìn)行EL檢測(cè)時(shí),由于擴(kuò)散石英舟舟槽與硅片的位置會(huì)形成EL缺陷,其接觸面積和個(gè)數(shù)超過(guò)現(xiàn)有EL檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn),通過(guò)對(duì)此缺點(diǎn)分析,提供了一種既可以降低與硅片接觸點(diǎn)數(shù)又可以減少與硅片接觸面積的石英舟。
本發(fā)明的技術(shù)方案是:一種用于晶體硅太陽(yáng)能電池管式擴(kuò)散的石英舟,其特征在于,包括若干連接桿和若干承載桿,其中承載桿的數(shù)量大于等于三;晶體硅太陽(yáng)能電池插入至少三個(gè)承載桿的凹槽內(nèi),且凹槽與晶體硅太陽(yáng)能電池接觸的位置不在晶體硅太陽(yáng)能電池同一側(cè);承載桿兩端與連接桿固連。
本發(fā)明的進(jìn)一步技術(shù)方案是:所述若干承載桿包括第一承載桿3、第二承載桿4和第三承載桿5;三個(gè)承載桿結(jié)構(gòu)相同,且軸線相互平行,三個(gè)承載桿同一側(cè)的桿端形成三角形結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的進(jìn)一步技術(shù)方案是:所述承載桿與晶體硅太陽(yáng)能電池未接觸的一端為半圓柱體,與晶體硅太陽(yáng)能電池接觸的一端為一凸條,凸條上并列開(kāi)有若干槽。
本發(fā)明的進(jìn)一步技術(shù)方案是:所述槽深為承載桿直徑的四分之一。
發(fā)明效果
本發(fā)明的技術(shù)效果在于:一、本實(shí)用新型的石英舟,由于其只有三個(gè)承載桿,將硅片放入石英舟內(nèi)后,石英舟與硅片接觸的位置只有三處,比常規(guī)石英舟少一處接觸點(diǎn);其承載桿上的舟槽,經(jīng)重新設(shè)計(jì),硅片與舟槽接觸的面積大幅減少,因此,本實(shí)用新型既降低了與硅片接觸點(diǎn)數(shù)又減少了與硅片接觸面積,使用本實(shí)用新型可大幅降低晶硅太陽(yáng)電池EL舟槽印不良比例。二、本實(shí)用新型的石英舟,既可以用于手動(dòng)插片,又可用于自動(dòng)化插片,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單實(shí)用,可廣泛推廣。
附圖說(shuō)明
圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖
圖2為本實(shí)用新型的俯視圖
圖3為本實(shí)用新型的側(cè)視圖
圖4為本實(shí)用新型的承載桿細(xì)節(jié)
圖5為本實(shí)用新型的工作狀態(tài)示意圖
附圖標(biāo)記說(shuō)明:1-第一側(cè)壁;2-第二側(cè)壁;3-第一承載桿;4-第二承載桿;5- 第三承載桿;6-連接桿;A-承載桿細(xì)節(jié)。
具體實(shí)施方式
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





