[實(shí)用新型]一種用于CVD靜電吸盤的導(dǎo)熱片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720378340.7
• 申請(qǐng)日: 2017-04-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN206650064U
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-11-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉國(guó)家
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中山市思考電子科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/683
• 分類號(hào): H01L21/683;C23C16/458
• 代理公司: 北京聯(lián)創(chuàng)佳為專利事務(wù)所(普通合伙)11362
• 代理人: 郭防

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及靜電吸盤，特別是涉及一種用于CVD靜電吸盤的導(dǎo)熱片。

背景技術(shù)

在以與半導(dǎo)體制造工藝有關(guān)的離子注入裝置、離子摻雜裝置、等離子體浸沒(méi)裝置為代表的、使用了電子束、極紫外線(EUV)光刻等的曝光裝置、硅晶片等的晶片檢查裝置等各種裝置等中，為了吸附/保持半導(dǎo)體基板而使用了靜電吸盤。另外，在液晶制造領(lǐng)域中，在對(duì)玻璃基板等進(jìn)行液晶的壓入時(shí)使用的基板層壓裝置、離子摻雜裝置等中，為了吸附/保持絕緣基板而使用了靜電吸盤。

導(dǎo)熱片是靜電吸盤的重要組成部分，其導(dǎo)熱效果直接影響靜電吸盤的工作性能，如果導(dǎo)熱片的導(dǎo)熱性能不夠，則會(huì)導(dǎo)致芯片溫度過(guò)高，影響二氧化硅的正常沉積。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于，提供一種用于CVD靜電吸盤的導(dǎo)熱片，具有良好的導(dǎo)熱效果，對(duì)芯片上二氧化硅的沉積有積極作用。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用如下的技術(shù)方案：

一種用于CVD靜電吸盤的導(dǎo)熱片，由碳化層、電介質(zhì)層、吸附電極層、氮化鋁陶瓷層、導(dǎo)熱層和硅鋁合金腔體組成，硅鋁合金腔體內(nèi)填充有導(dǎo)熱脂；硅鋁合金腔體的頂部具有若干導(dǎo)熱槽，導(dǎo)熱層的底部具有若干翅片，翅片位于導(dǎo)熱槽內(nèi)；碳化層、電介質(zhì)層、吸附電極層、氮化鋁陶瓷層和導(dǎo)熱層依次粘帖組合。翅片能夠插入到硅鋁合金腔體上的導(dǎo)熱槽內(nèi)，硅鋁合金腔體內(nèi)具有導(dǎo)熱脂，能夠快速的將熱量吸收，防止電介質(zhì)層溫度過(guò)高導(dǎo)致工作運(yùn)行不穩(wěn)定。

作為其中一種可實(shí)施方式，前述的一種用于CVD靜電吸盤的導(dǎo)熱片中，碳化層、電介質(zhì)層、吸附電極層、氮化鋁陶瓷層、導(dǎo)熱層和硅鋁合金腔體均成圓形，電介質(zhì)層的邊沿具有翻邊，翻邊的底部具有密封條，氮化鋁陶瓷層的頂部具有密封槽，密封條位于密封槽內(nèi)。

作為其中一種較佳的實(shí)施方式，前述的一種用于CVD靜電吸盤的導(dǎo)熱片中，相鄰的兩個(gè)所述翅片之間的距離小于翅片的高度，且大于翅片高度的0.8倍。其中，所述導(dǎo)熱層的制作材料可以選用銅，如果翅片間距過(guò)長(zhǎng)或過(guò)短都會(huì)影響散熱效果，導(dǎo)致熱量不能迅速的傳遞給硅鋁合金腔體和其內(nèi)部的導(dǎo)熱脂。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有良好的導(dǎo)熱效果，對(duì)芯片上二氧化硅的沉積有積極作用。導(dǎo)熱層具有翅片，翅片能夠插入到硅鋁合金腔體上的導(dǎo)熱槽內(nèi)，硅鋁合金腔體內(nèi)具有導(dǎo)熱脂，能夠快速的將熱量吸收，防止電介質(zhì)層溫度過(guò)高導(dǎo)致工作運(yùn)行不穩(wěn)定。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型的一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記：1-翻邊，2-密封條，3-密封槽，4-翅片，5-吸附電極層，6-碳化層，7-電介質(zhì)層，8-氮化鋁陶瓷層，9-導(dǎo)熱層，10-硅鋁合金腔體，11-導(dǎo)熱槽，12-導(dǎo)熱脂。

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說(shuō)明。

具體實(shí)施方式

本實(shí)用新型的實(shí)施例1：如圖1所示，一種用于CVD靜電吸盤的導(dǎo)熱片，由碳化層6、電介質(zhì)層7、吸附電極層5、氮化鋁陶瓷層8、導(dǎo)熱層9和硅鋁合金腔體10組成，硅鋁合金腔體10內(nèi)填充有導(dǎo)熱脂12；硅鋁合金腔體10的頂部具有若干導(dǎo)熱槽11，導(dǎo)熱層9的底部具有若干翅片4，翅片4位于導(dǎo)熱槽11內(nèi)；碳化層6、電介質(zhì)層7、吸附電極層5、氮化鋁陶瓷層8和導(dǎo)熱層9依次粘帖組合。

實(shí)施例2：如圖1所示，一種用于CVD靜電吸盤的導(dǎo)熱片，由碳化層6、電介質(zhì)層7、吸附電極層5、氮化鋁陶瓷層8、導(dǎo)熱層9和硅鋁合金腔體10組成，硅鋁合金腔體10內(nèi)填充有導(dǎo)熱脂12；硅鋁合金腔體10的頂部具有若干導(dǎo)熱槽11，導(dǎo)熱層9的底部具有若干翅片4，翅片4位于導(dǎo)熱槽11內(nèi)；碳化層6、電介質(zhì)層7、吸附電極層5、氮化鋁陶瓷層8和導(dǎo)熱層9依次粘帖組合。碳化層6、電介質(zhì)層7、吸附電極層5、氮化鋁陶瓷層8、導(dǎo)熱層9和硅鋁合金腔體10均成圓形，電介質(zhì)層7的邊沿具有翻邊1，翻邊1的底部具有密封條2，氮化鋁陶瓷層8的頂部具有密封槽3，密封條2位于密封槽3內(nèi)。