[實用新型]一種用于兩個旋光器組裝的磁塊

有效

• 申請號: 201720365711.8
• 申請日: 2017-04-10
• 公開（公告）號: CN207051529U
• 公開（公告）日: 2018-02-27
• 發明（設計）人: 秦明海;蔣延標;王正興;陳雷華
• 申請（專利權）人: 蘇州東輝光學有限公司
• 主分類號: G02B6/27
• 分類號: G02B6/27
• 代理公司: 廣州市紅荔專利代理有限公司44214
• 代理人: 關家強,吳偉文

技術領域

本實用新型涉及光學元件加工領域，具體涉及一種用于兩個旋光器組裝的便捷裝置。

背景技術

在隔離器、環形器、梳狀濾波器等一些無緣器件中會同時用到2個并行的旋光元件，常規做法是用兩個獨立的旋光器并行組裝。但這樣的話，由于在產品內放置兩個旋光器導致產品體積很難做小，并且旋光器有很強的磁場，兩個獨立的旋光器并行靠攏組裝時磁場排斥力很大，組裝困難；這種方式導致的產品材料、工時成本都比較高。并且在這種方法中存在如下問題：(1)旋光器磁塊一般是圓環狀，放入法拉第旋光器時比較困難，效率低；(2)兩個獨立的旋光器并行組裝時，由于有磁場排斥力，比較困難，一般需要借助第三個元件來固定這兩個旋光器，在磁場排斥力作用下，產品長期可靠性不好。

因此為了方便隔離器、環形器、梳狀濾波器等器件中的旋光元件的放置，現有技術中急需對產品結構進行改進或增加輔助部件，希望能解決上述不足。

實用新型內容

針對上述現有技術的不足，本實用新型的主要目的是提供一種用于兩個旋光器組裝的山字型磁塊，該磁塊能實現兩個旋光器并行組裝，磁塊體積小，組裝時不存在磁場排斥力，組裝方便高效；并且可以將光學產品體積做到更小。

為實現上述目的，本實用新型公開的技術方案是：一種用于兩個旋光器組裝的磁塊，所述磁塊呈山字型，所述山字型磁塊上設有兩個凹槽，所述兩個凹槽的空間均能夠放置1個旋光器；所述兩個凹槽內的磁場方向是相互平行的；所述山字型磁塊的兩個凹槽之間設有柱狀擋板結構，該結構的厚度在0.3-1.5cm之間；所述山字型磁塊的高度是在0.8-2.5cm之間；所述山字型磁塊的長度在2.5-4.5cm之間。

優選的，所述磁塊的厚度是在0.6-1.5cm之間。

本實用新型的有益效果是：本實用新型設計的磁塊上有兩個凹槽，兩個凹槽內的磁場方向是平行的，分別放入2個法拉第旋轉片之后即是2個旋光器，實現了2個獨立旋光器并行組裝的功能，這樣的磁塊體積小，組裝時不存儲磁場排斥力，組裝方便高效；通過本實用新型的磁塊可以將光學產品體積做到更小。

附圖說明

圖1是本實用新型磁塊一較佳實施例的結構示意圖；

圖2是本實用新型磁塊中未放入旋光器時的結構示意圖；

圖3是圖1的俯視圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型的較佳實施例進行詳細闡述，以使本實用新型的優點和特征能更易于被本領域技術人員理解，從而對本實用新型的保護范圍做出更為清楚明確的界定。

請參考附圖1-3，本實用新型實施例包括：

實施例1：一種用于兩個旋光器組裝的磁塊1，磁塊1呈山字型，所述山字型磁塊上設有兩個凹槽：凹槽10與凹槽11；兩個凹槽的空間均能夠放置1個旋光器；凹槽10與凹槽11 的磁場方向是相互平行的；該山字型磁塊的凹槽10與凹槽11之間設有柱狀擋板結構12，該柱狀擋板結構12的厚度b在0.3-1.5cm之間；所述山字型磁塊的高度是在0.8-2.5cm之間；所述山字型磁塊的長度L在2.5-4.5cm之間。

實施例2：本實施例與實施例1的不同之處在于，本實施例中，磁塊1的厚度是在0.6-1.5 cm之間。

實施例3：本實施例與實施例1的不同之處在于，本實施例中，磁塊1的凹槽10內放入旋光器3，凹槽11內放入旋光器2。

實施例4：一種用于兩個旋光器組裝的磁塊1，磁塊1呈山字型，所述山字型磁塊上設有兩個凹槽：凹槽10與凹槽11；兩個凹槽的空間均能夠放置1個旋光器；凹槽10與凹槽11 的磁場方向是相互平行的；該山字型磁塊的凹槽10與凹槽11之間設有柱狀擋板結構12，該柱狀擋板結構12的厚度b在0.5-1.5cm之間；所述山字型磁塊的高度是在1-2cm之間；所述山字型磁塊的長度L在2-4cm之間。本實施例中，磁塊1的厚度是在0.8-1.2cm之間。

實施例5：一種用于兩個旋光器組裝的磁塊1，磁塊1呈山字型，所述山字型磁塊上設有兩個凹槽：凹槽10與凹槽11；兩個凹槽的空間均能夠放置1個旋光器；凹槽10與凹槽11 的磁場方向是相互平行的；該山字型磁塊的凹槽10與凹槽11之間設有柱狀擋板結構12，該柱狀擋板結構12的厚度b是1.5cm；所述山字型磁塊的高度是2cm；所述山字型磁塊的長度L是4cm。本實施例中，磁塊1的厚度是1.2cm。

以上所述僅為本實用新型的實施例，并非因此限制本實用新型的專利范圍，凡是利用本實用新型說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本實用新型的專利保護范圍內。