[實(shí)用新型]負(fù)離子發(fā)生器的電源和負(fù)離子發(fā)生器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720364476.2 | 申請日: | 2017-04-07 |
| 公開(公告)號: | CN206698122U | 公開(公告)日: | 2017-12-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 羅偉凡 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市平衡醫(yī)學(xué)研究會 |
| 主分類號: | H02M3/335 | 分類號: | H02M3/335;H01T23/00 |
| 代理公司: | 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11371 | 代理人: | 王寧寧 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市福田區(qū)*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 負(fù)離子 發(fā)生器 電源 | ||
1.一種負(fù)離子發(fā)生器的電源,其特征在于,包括:高壓包和自反饋穩(wěn)壓電路;
所述高壓包與所述自反饋穩(wěn)壓電路連接;
所述自反饋穩(wěn)壓電路用于采集所述高壓包的輸出電壓信息,并根據(jù)所述輸出電壓信息調(diào)整所述高壓包的輸出電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電源,其特征在于,所述自反饋穩(wěn)壓電路包括:
取樣電路、基準(zhǔn)電壓源、比較放大電路和電壓調(diào)整管;
所述取樣電路包括取樣電阻,所述取樣電阻與負(fù)載并聯(lián);所述取樣電路用于采集所述輸出電壓信息得到反饋電壓;
所述比較放大電路用于將所述反饋電壓與所述基準(zhǔn)電壓源的基準(zhǔn)電壓比較產(chǎn)生誤差電壓經(jīng)放大后控制所述電壓調(diào)整管的基級電流;
當(dāng)所述基級電流變化時,所述電壓調(diào)整管的管壓降隨之變化以保持所述電源的輸出電壓穩(wěn)定。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電源,其特征在于,所述自反饋穩(wěn)壓電路包括:
取樣電路和LNK芯片;
所述取樣電路包括取樣繞組,所述取樣繞組與所述高壓包的主繞組耦合;所述取樣電路用于采集所述主繞組的輸出電壓信息得到反饋電壓;
所述LNK芯片用于根據(jù)所述反饋電壓調(diào)整所述輸出電壓。
4.一種負(fù)離子發(fā)生器,其特征在于,包括多個放電針、接地極和權(quán)利要求1-3中任一項所述的負(fù)離子發(fā)生器的電源。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的負(fù)離子發(fā)生器,其特征在于,所述放電針的材料為不銹鋼或鎢合金。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的負(fù)離子發(fā)生器,其特征在于,多個所述放電針排列成面陣。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的負(fù)離子發(fā)生器,其特征在于,多個所述放電針包括上部針組和下部針組,所述上部針組與所述下部針組平行相對設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的負(fù)離子發(fā)生器,其特征在于,在所述上部針組與所述下部針組之間設(shè)置有零電位導(dǎo)電板。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的負(fù)離子發(fā)生器,其特征在于,所述放電針覆蓋有塑料保護(hù)外殼,所述放電針的裸露長度為3mm~5mm。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的負(fù)離子發(fā)生器,其特征在于,所述接地極包括陶瓷基板和接地線。
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H02 發(fā)電、變電或配電
H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉(zhuǎn)換以及用于與電源或類似的供電系統(tǒng)一起使用的設(shè)備;直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉(zhuǎn)換;以及它們的控制或調(diào)節(jié)
H02M3-00 直流功率輸入變換為直流功率輸出
H02M3-02 .沒有中間變換為交流的
H02M3-22 .帶有中間變換為交流的
H02M3-24 ..用靜態(tài)變換器的
H02M3-34 ..用動態(tài)變換器的
H02M3-44 ..由靜態(tài)變換器與動態(tài)變換器組合的;由機(jī)電變換器與另一動態(tài)變換器或靜態(tài)變換器組合的





