[實(shí)用新型]一種LED封裝結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201720364430.0 | 申請(qǐng)日: | 2017-04-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN206849859U | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-01-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 朱劍飛;蔡杰;裴小明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市瑞豐光電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/48 | 分類號(hào): | H01L33/48;H01L33/60 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所44237 | 代理人: | 陽(yáng)開(kāi)亮 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市光*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 led 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:包括支架組件和電連接在所述支架組件上的LED芯片,所述支架組件包括支撐并電連接所述LED芯片的支撐底座和連接在所述支撐底座上的反射杯,所述LED芯片位于所述反射杯的腔體內(nèi),所述支撐底座上且位于所述反射杯圍合的區(qū)域內(nèi)設(shè)有便于反光的鍍銀層,所述鍍銀層外還經(jīng)沉淀工藝沉淀有用于保護(hù)所述鍍銀層的粉體層,所述粉體層覆蓋所述鍍銀層。
2.如權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述粉體層為透明或白色。
3.如權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述粉體層由絕緣材料的粉狀結(jié)構(gòu)組成。
4.如權(quán)利要求3所述的LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述粉狀結(jié)構(gòu)的粒徑為10納米-300微米。
5.如權(quán)利要求1所述的LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述粉體層的厚度為1微米-500微米。
6.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述反射杯的腔體內(nèi)還連接有封裝膠體。
7.如權(quán)利要求6所述的LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述粉體層位于所述封裝膠體和所述鍍銀層之間。
8.如權(quán)利要求6所述的LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述支撐底座的上表面上設(shè)有便于與所述LED芯片電連接的固晶區(qū),所述LED芯片連接在所述固晶區(qū)和所述粉體層之間。
9.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述支撐底座上設(shè)有開(kāi)槽,所述LED芯片的正極和負(fù)極分別位于所述開(kāi)槽的兩側(cè),且所述正極和所述負(fù)極通過(guò)鍵合線電連接。
10.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的LED封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述支撐底座上設(shè)有開(kāi)槽,所述開(kāi)槽位于所述LED芯片的下方,所述LED芯片的正極和負(fù)極分別連接在所述開(kāi)槽的兩側(cè)。
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