[實用新型]多室化學氣相沉積系統

有效

• 申請號: 201720363485.X
• 申請日: 2016-08-31
• 公開（公告）號: CN206646165U
• 公開（公告）日: 2017-11-17
• 發明（設計）人: 喬治·帕帕索利奧蒂斯;米格爾·索爾達娜;布雷特·斯諾登;尤利·拉什科夫斯基;邁克爾·佩奇
• 申請（專利權）人: 維易科儀器有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 王艷江,嚴小艷

1.一種化學氣相沉積系統，其特征在于包括：

手動前端界面，所述手動前端界面具有第一輸出和第二輸出，所述第一輸出配置成提供裝有晶片的第一加工托盤，所述第二輸出配置成提供裝有晶片的第二加工托盤；

裝載鎖定室，所述裝載鎖定室能夠保持受控環境并且與所述手動前端界面連通，所述裝載鎖定室具有第一室、第二室、第一門以及與所述第一門相對的第二門，所述第一門與所述第一輸出和所述第二輸出連通，所述第一室與所述第一輸出對齊并且所述第二室與所述第二輸出對齊，其中，所述裝載鎖定室配置成通過所述第一門分別將裝有晶片的所述第一加工托盤從所述第一輸出接收到所述第一室中以及將裝有晶片的所述第二加工托盤從第二輸出接收到所述第二室中；以及

真空轉移模塊，所述真空轉移模塊與所述裝載鎖定室的所述第二門連通，所述真空轉移模塊具有雙葉片機械臂，所述雙葉片機械臂配置成分別將裝有晶片的所述第一加工托盤和裝有晶片的所述第二加工托盤從所述第一室和所述第二室操控至與所述真空轉移模塊連通的一個或多個反應室。

2.根據權利要求1所述的化學氣相沉積系統，其特征在于，所述一個或多個反應室能夠執行選自如下的工藝：金屬有機化學氣相沉積、化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積、物理氣相沉積、等離子體增強物理氣相沉積、等離子體增強化學氣相沉積、高密度等離子體增強化學氣相沉積、原子層沉積、等離子體增強原子層沉積、原子層外延、等離子體增強原子層外延、蝕刻、分子束處理、熱退火、摻雜、加工托盤清洗、晶片清洗以及晶片預清洗。

3.根據權利要求1所述的化學氣相沉積系統，其特征在于，所述化學氣相沉積系統還包括一個或多個計量工具。

4.一種化學氣相沉積系統，其特征在于包括：

手動前端界面，所述手動前端界面具有第一輸出和第二輸出，所述第一輸出配置成提供裝有晶片的第一加工托盤，所述第二輸出配置成提供裝有晶片的第二加工托盤；

裝載鎖定室，所述裝載鎖定室能夠保持受控環境并且與所述手動前端界面連通，所述裝載鎖定室具有第一室、第二室、第一門以及與所述第一門相對的第二門，所述第一門與所述第一輸出和所述第二輸出連通，所述第一室與所述第一輸出對齊并且所述第二室與所述第二輸出對齊，其中，所述裝載鎖定室配置成通過所述第一門分別將裝有晶片的所述第一加工托盤從所述第一輸出接收到所述第一室中以及將裝有晶片的所述第二加工托盤從第二輸出接收到所述第二室中；

真空轉移模塊，所述真空轉移模塊與所述裝載鎖定室的所述第二門連通，所述真空轉移模塊具有雙葉片機械臂，所述雙葉片機械臂配置成分別從所述第一室和所述第二室操控裝有晶片的所述第一加工托盤和裝有晶片的所述第二加工托盤；以及

與所述真空轉移模塊連通的一個或多個反應室，所述反應室能夠接收裝有晶片的所述第一加工托盤和裝有晶片的所述第二加工托盤。

5.根據權利要求4所述的化學氣相沉積系統，其特征在于，所述一個或多個反應室能夠執行選自如下的工藝：金屬有機化學氣相沉積、化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積、物理氣相沉積、等離子體增強物理氣相沉積、等離子體增強化學氣相沉積、高密度等離子體增強化學氣相沉積、原子層沉積、等離子體增強原子層沉積、原子層外延、等離子體增強原子層外延、蝕刻、分子束處理、熱退火、摻雜、加工托盤清洗、晶片清洗以及晶片預清洗。

6.根據權利要求4所述的化學氣相沉積系統，其特征在于，所述化學氣相沉積系統還包括一個或多個計量工具。