[實用新型]一種兩段蒸餾的真空爐有效
| 申請號: | 201720356588.3 | 申請日: | 2017-04-07 |
| 公開(公告)號: | CN207062351U | 公開(公告)日: | 2018-03-02 |
| 發明(設計)人: | 熊恒;楊斌;鄧勇;雷浩成;徐寶強;劉大春;郁青春;王飛;田陽;張丁川 | 申請(專利權)人: | 昆明理工大學 |
| 主分類號: | C22B9/02 | 分類號: | C22B9/02 |
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| 地址: | 650093 云*** | 國省代碼: | 云南;53 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 蒸餾 真空爐 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種兩段蒸餾的真空爐,屬于真空冶金設備技術領域。
背景技術
連續真空蒸餾電阻爐中,一般采用一級蒸餾或多級蒸餾的方式。一級蒸餾在真空條件下通過一次加熱使物質從原料中蒸餾出來后直接在冷凝器或冷卻收集裝置中冷凝、收集,獲得液體金屬產品。多級蒸餾也稱為多次的一級蒸餾,分為開式多級蒸餾和閉式多級蒸餾,將多次一級蒸餾以階梯狀或疊堆狀組合在一起。在蒸餾過程中,上一級的殘留物流入下一級蒸發盤中作為下一級蒸餾的原料。如每一級的揮發物收集在一起稱為開始多級蒸餾,如每一級的揮發物流經上一級的蒸發盤后,在最后一級蒸發盤收集得到揮發物,成為閉式的真空蒸餾。
無論是一級蒸餾或是多級蒸餾,其揮發物將直接收集、冷凝,得到冷凝物產品,無法對餾分進行再次蒸餾,細分。
實用新型內容
本實用新型針對現有技術存在的問題及不足,提供一種兩段蒸餾的真空爐。
本實用新型的目的由如下技術方案實現。
一種兩段蒸餾的真空爐,包括爐體1、坩堝Ⅰ2、坩堝Ⅱ3、溫控加熱構件Ⅰ、溫控加熱構件Ⅱ、冷凝室4、導氣管5、坩堝支架6、支撐板Ⅰ7、支撐板Ⅱ8,熱電偶Ⅰ9、熱電偶Ⅱ10、熱電偶Ⅲ11,坩堝支架6固定設置在爐體1底部,坩堝Ⅰ2設置在坩堝支架6上,支撐板Ⅰ7固定設置在爐體1內壁,支撐板Ⅱ8固定設置在爐體1內壁,冷凝室4固定設置在支撐板Ⅰ7上端、坩堝Ⅱ3設置在支撐板Ⅰ7下端且固定設置在支撐板Ⅱ8上端,冷凝室4與坩堝Ⅱ3連通,坩堝Ⅰ2和坩堝Ⅱ3通過導氣管5連通,溫控加熱構件Ⅰ與坩堝Ⅰ2連接,溫控加熱構件Ⅱ與坩堝Ⅱ3連接,熱電偶Ⅰ9設置在坩堝Ⅰ2內,熱電偶Ⅱ10設置在坩堝Ⅱ3內、熱電偶Ⅲ11設置在導氣管5內;
所述溫控加熱構件Ⅰ包括發熱體Ⅰ12和電極Ⅰ13,發熱體Ⅰ12套裝在坩堝Ⅰ2外側,電極Ⅰ13與發熱體Ⅰ12連接;
所述控加熱構件Ⅱ包括發熱體Ⅱ14和電極Ⅱ15,發熱體Ⅱ14套裝在坩堝Ⅱ3外側,電極Ⅱ15與發熱體Ⅱ14連接;
金屬物料放置于坩堝Ⅰ2中,蒸餾過程中發熱體12發熱,加熱坩堝Ⅰ2中的物料,其中的易揮發金屬揮發形成氣態,并通過導氣管5進入坩堝Ⅱ3中冷凝,完成一次蒸餾過程;再通過發熱體14加熱坩堝Ⅱ3中冷凝得到的金屬物料,使其中更易揮發金屬揮發形成氣態,并進入冷凝室4中冷凝,獲得最終產品。
該種兩段蒸餾的真空爐,坩堝Ⅰ2中的蒸餾溫度將高于坩堝Ⅱ3中的蒸餾溫度,在坩堝Ⅰ2中與高沸點金屬進行分離的中低沸點金屬通過導氣管5進入坩堝Ⅱ3中,由于坩堝Ⅱ3中的蒸餾溫度低于坩堝Ⅰ2中的蒸餾溫度,中沸點的金屬在坩堝Ⅱ3中的蒸餾溫度下不再進行蒸餾而留在坩堝Ⅱ3中,坩堝Ⅱ3中揮發的低沸點金屬氣體則進入冷凝室4進行冷凝,冷凝室4中冷凝得到的金屬即為經過兩段真空蒸餾的高純低沸點金屬。
本實用新型的有益效果:
(1)本實用新型在一個真空爐中實現金屬物料的兩次真空蒸餾;
(2)金屬原料在真空爐內,將根據其性質進行分類,在坩堝Ⅰ2中殘留基本不揮發的高沸點金屬,坩堝Ⅱ3中留下二次蒸餾未揮發的中沸點金屬,而在冷凝室4中收集的高純低沸點(經過兩段揮發后)的金屬;
(3)蒸發裝置和冷凝裝置在一個密閉的系統中進行,易于收集,減少了金屬蒸氣冷凝過程中的損失。
附圖說明
圖1為實施例兩段蒸餾的真空爐的示意圖;
圖中,1-爐體,2-坩堝Ⅰ,3-坩堝Ⅱ,4-冷凝室,5-導氣管,6-坩堝支架,7-支撐板Ⅰ,8-支撐板Ⅱ,9-熱電偶Ⅰ,10-熱電偶Ⅱ,11-熱電偶Ⅲ,12-發熱體Ⅰ,13-電極Ⅰ,14-發熱體Ⅱ,15-電極Ⅱ。
具體實施方式
下面結合附圖和具體實施方式,對本實用新型作進一步說明。
如圖1所示,一種兩段蒸餾的真空爐,包括爐體1、坩堝Ⅰ2、坩堝Ⅱ3、溫控加熱構件Ⅰ、溫控加熱構件Ⅱ、冷凝室4、導氣管5、坩堝支架6、支撐板Ⅰ7、支撐板Ⅱ8,熱電偶Ⅰ9、熱電偶Ⅱ10、熱電偶Ⅲ11,坩堝支架6固定設置在爐體1底部,坩堝Ⅰ2設置在坩堝支架6上,支撐板Ⅰ7固定設置在爐體1內壁,支撐板Ⅱ8固定設置在爐體1內壁,冷凝室4固定設置在支撐板Ⅰ7上端、坩堝Ⅱ3設置在支撐板Ⅰ7下端且固定設置在支撐板Ⅱ8上端,冷凝室4與坩堝Ⅱ3連通,坩堝Ⅰ2和坩堝Ⅱ3通過導氣管5連通,溫控加熱構件Ⅰ與坩堝Ⅰ2連接,溫控加熱構件Ⅱ與坩堝Ⅱ3連接,熱電偶Ⅰ9設置在坩堝Ⅰ2內,熱電偶Ⅱ10設置在坩堝Ⅱ3內、熱電偶Ⅲ11設置在導氣管5內。
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