[實用新型]超結MOSFET結構

有效

• 申請號: 201720346165.3
• 申請日: 2017-04-01
• 公開（公告）號: CN206639802U
• 公開（公告）日: 2017-11-14
• 發明（設計）人: 白玉明;徐承福;張海濤
• 申請（專利權）人: 無錫同方微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙)32104
• 代理人: 曹祖良,涂三民

1.超結MOSFET結構，其特征是：它包括N型重摻雜襯底（201）及形成于N型重摻雜襯底（201）上的N型輕摻雜外延層（202）；且N型輕摻雜外延層（202）包括元胞區及包圍元胞區的終端區；

在元胞區中形成有至少一個晶體管單元，晶體管單元包括形成于N型輕摻雜外延層（202）中的一對元胞區P柱（203），元胞區P柱（203）的頂端均連接有P型體區（204）和N型體區（208），P型體區（204）和N型體區（208）均位于N型輕摻雜外延層（202）內；N型輕摻雜外延層（202）表面形成有柵極組件，柵極組件位于一對元胞區P柱（203）之間；且柵極組件包括形成于N型輕摻雜外延層（202）表面的柵氧化層（205）及形成于柵氧化層（205）內的多晶硅柵極（206）；

在終端區中形成有至少一個終端區P柱（207），在終端區P柱（207）的頂端形成有終端區氧化絕緣層（209）。

2.如權利要求1所述的超結MOSFET結構，其特征是：所述元胞區P柱（203）及終端區P柱（207）均為P型單晶硅。