[實用新型]一種GaAsHBT器件外延結構

有效

• 申請號: 201720336819.4
• 申請日: 2017-03-31
• 公開（公告）號: CN206628471U
• 公開（公告）日: 2017-11-10
• 發明（設計）人: 陳一峰
• 申請（專利權）人: 成都海威華芯科技有限公司
• 主分類號: H01L29/737
• 分類號: H01L29/737;H01L29/225;H01L29/06
• 代理公司: 成都華風專利事務所(普通合伙)51223
• 代理人: 徐豐

1.一種GaAs HBT器件外延結構，其特征在于，由下至上依次包括GaAs襯底、N-GaAs集電區層、N-Al_yGa_0.52-yIn_0.48P集電區層、P-GaAs基區層、若干層N-Al_xGa_0.52-xIn_0.48P發射區層、N-GaAs發射區層、N⁺-In_zGa_1-zAs帽層，其中，若干層N-Al_xGa_0.52-xIn_0.48P發射區層由下至上每層結構x的變化逐漸增大，且x的范圍為0～0.3。

2.根據權利要求1所述的GaAs HBT器件外延結構，其特征在于，所述GaAs襯底具體采用Si、SiC、GaN、藍寶石、金剛石中的任意一種。

3.根據權利要求1所述的GaAs HBT器件外延結構，其特征在于，所述N-GaAs集電區層的摻雜濃度為不小于5×10¹⁷cm^-3，厚度為0.2μm～3μm。

4.根據權利要求1所述的GaAs HBT器件外延結構，其特征在于，所述N-Al_yGa_0.52-yIn_0.48P集電區層的摻雜濃度為不小于1×10¹⁷cm^-3，厚度為10nm～500nm，y的范圍為0～0.3。

5.根據權利要求1所述的GaAs HBT器件外延結構，其特征在于，所述P-GaAs基區層的摻雜濃度為不小于5×10¹⁷cm^-3，厚度為20nm～500nm。

6.根據權利要求1所述的GaAs HBT器件外延結構，其特征在于，所述若干層N-Al_xGa_0.52-xIn_0.48P發射區層摻雜濃度為不小于1×10¹⁷cm^-3，厚度為10nm～500nm。

7.根據權利要求1所述的GaAs HBT器件外延結構，其特征在于，所述N-GaAs發射區層的摻雜濃度為不小于5×10¹⁷cm^-3，厚度為20nm～500nm。

8.根據權利要求1所述的GaAs HBT器件外延結構，其特征在于，所述N⁺-In_ZGa_1-ZAs帽層中Z為0～1，摻雜濃度為不小于1×10¹⁸cm^-3，厚度為10～200nm。