[實用新型]植球治具有效
| 申請號: | 201720325234.2 | 申請日: | 2017-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN206639782U | 公開(公告)日: | 2017-11-14 |
| 發明(設計)人: | 宣慧 | 申請(專利權)人: | 南通通富微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙)11435 | 代理人: | 郭棟梁 |
| 地址: | 226017 江蘇省南通市蘇通科技產*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 植球治具 | ||
1.一種植球治具,其特征在于,包括:
定位部,其具有多個焊點排布區,所述焊點排布區包括接收焊料的主通道以及至少兩條與所述主通道相連通的分支通道;以及
落料部,其具有多條落料通道,多條落料通道與多個焊點排布區一一對應,每條落料通道與對應的焊點排布區內的主通道相連通。
2.根據權利要求1所述的植球治具,其特征在于,
所述主通道為腰形凹槽結構,所述主通道具有圓弧形的兩端,所述主通道底部兩端開有兩個圓孔,兩個圓孔分別為兩個分支通道的頂端,所述分支通道為圓孔通道;
所述主通道的軸線與所述分支通道的軸線沿豎直方向分布且位于同一平面內,所述分支通道沿豎直方向的投影內切于所述主通道沿豎直方向的投影。
3.根據權利要求2所述的植球治具,其特征在于,
所述主通道底部的中心設有凸起結構。
4.根據權利要求1所述的植球治具,其特征在于,所述落料通道具有用于放置焊料塊的入料口以及連通所述主通道的出料口,其中所述入料口呈倒錐筒形結構。
5.根據權利要求4所述的植球治具,其特征在于,
所述落料部包括位于其底面的支撐部,所述落料部通過支撐部連接所述定位部;
所述落料通道伸出所述落料部的底面且所述落料通道的出料口連通對應的焊點排布區的主通道;
所述落料部與所述定位部之間形成落料空腔。
6.根據權利要求5所述的植球治具,其特征在于,
所述落料通道的出料口的端部具有一沿其縱向凸伸的凹伸部,所述凹伸部伸入對應的焊點排布區的主通道內。
7.根據權利要求4所述的植球治具,其特征在于,
所述落料通道的內壁涂布有耐高溫脫模劑。
8.根據權利要求1-7任一項所述的植球治具,其特征在于,
所述定位部上的多個所述焊點排布區呈陣列分布,所述落料部上的多條所述落料通道呈陣列分布;陣列分布的所述落料通道與陣列分布的所述焊點排布區的主通道一一對應連通。
9.根據權利要求1-7任一項所述的植球治具,其特征在于,所述落料部和所述定位部為一體成型結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





