[實用新型]一種掩膜板有效
| 申請號: | 201720318801.1 | 申請日: | 2017-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN206757294U | 公開(公告)日: | 2017-12-15 |
| 發明(設計)人: | 羅麗平;劉會雙;張俊東;張昭強;張小祥;劉明懸;姚化禮;賈紅冉;孫增標;李偉 | 申請(專利權)人: | 北京京東方顯示技術有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/68 | 分類號: | G03F1/68 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112 | 代理人: | 劉悅晗,陳源 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 掩膜板 | ||
技術領域
本實用新型涉及顯示技術領域,特別涉及一種掩膜板。
背景技術
在TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶顯示裝置)的制備過程中,需要由多次掩膜工藝制備,每一次掩膜工藝均需要一張掩膜板,掩膜板上設置有與其對應的掩膜板工藝所需的掩膜圖形。
掩膜板的單價較高,多次掩膜工藝需要多塊掩膜板,造成液晶顯示裝置的生產成本較高,而且,掩膜板的數量較多相應也會增加掩膜板的管理難度。
因此,亟需一種掩膜板以解決上述問題。
發明內容
本實用新型針對現有技術中存在的上述不足,提供一種掩膜板,用以至少部分解決現有顯示裝置制造成本高的問題。
為實現上述目的,本實用新型提供一種掩膜板,包括基底,所述基底包括用于遮擋第一方向的光并使第二方向的光通過的第一結構,和用于遮擋第二方向的光并使第一方向的光通過的第二結構;
所述第一方向為照射至所述基底的第一表面的光線的方向,所述第二方向為照射至所述基底的第二表面的光線的方向,所述第一表面和第二表面為所述基底相對的兩個表面。
優選的,利用所述第一結構形成的第一圖形與利用所述第二結構形成的第二圖形不同。
優選的,所述第一結構包括第一反射層,所述第一反射層用于反射所述第一方向的光;所述第二結構包括第二反射層,所述第二反射層用于反射所述第二方向的光。
優選的,所述第一結構位于所述第一表面,所述第二結構位于所述第二表面。
優選的,所述掩膜板還包括第一保護層和第二保護層,所述第一保護層覆蓋所述第一結構,所述第二保護層覆蓋所述第二結構。
優選的,所述第一結構和第二結構均位于所述第一表面或均位于所述第二表面。
優選的,所述掩膜板還包括平坦化層,所述平坦化層位于所述第一結構和第二結構之間。
優選的,所述掩膜板還包括第三保護層,所述第三保護層覆蓋所述第一結構和第二結構中遠離所述基底的結構。
本實用新型具有以下有益效果:
本實用新型提供的掩膜板,在基底設置用于遮擋第一方向的光并使第二方向的光通過的第一結構,和用于遮擋第二方向的光并使第一方向的光通過的第二結構。當光線從第一方向照射時,可以形成第一結構所對應的圖形,當光線從第二方向照射時,可以形成第二結構所對應的圖形,第一結構所對應的圖形和第二結構所對應的圖形可以分別對應不同掩膜工藝,從而一張掩膜板可以應用在兩次掩膜工藝中,得到不同的圖形,這樣可以減少一半掩膜板的使用數量,節省了液晶顯示裝置的生產成本,也相應的降低了掩膜板的管理難度。
附圖說明
圖1為本實施例提供的掩膜板的俯視結構示意圖;
圖2為本實施例提供的掩膜板沿AA’方向的截面結構示意圖一;
圖3為本實施例提供的掩膜板沿AA’方向的截面結構示意圖二。
圖例說明:
1、基底 2、第一結構 3、第二結構 4、第一表面 5、第二表面 8、第一反射層 9、第二反射層 10、第一保護層 11、第二保護層 12、平坦化層 13、第三保護層
具體實施方式
為使本領域的技術人員更好地理解本實用新型的技術方案,下面結合附圖對本實用新型提供的一種掩膜板進行詳細描述。
本實用新型實施例提供的掩膜板,結合圖1和圖2所示,所述掩膜板包括基底1,基底1包括第一結構2和第二結構3,第一結構2用于遮擋第一方向的光并使第二方向的光通過2,第二結構3用于遮擋第二方向的光并使第一方向的光通過?;?包括兩個相對的表面,即第一表面4和第二表面5,在圖2中,第一表面4為基底1的下表面,第二表面5為基底1的上表面,第一方向為照射至基底1的第一表面4的光線的方向,即照射至基底1的下表面的光線的方向,第二方向為照射至基底1的第二表面5的光線的方向,即照射至基底1的上表面的光線的方向。其中,基底1可以采用透明石英玻璃,石英玻璃具有耐高溫、膨脹系數低等優點,并且能透過紫外線和紅外線。
需要說明的是,當光線從第一方向照射時,經第一結構2遮擋,可以形成第一圖形,當光線從第二方向照射時,經第二結構3遮擋,可以形成第二圖形。
優選的,利用第一結構2形成的第一圖形與利用第二結構3形成的第二圖形不同。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





