[實用新型]一種高度集成型pH傳感器

有效

• 申請號: 201720318676.4
• 申請日: 2017-03-29
• 公開（公告）號: CN206573523U
• 公開（公告）日: 2017-10-20
• 發明（設計）人: 張佰君;潘鄭州;邢潔瑩
• 申請（專利權）人: 中山大學;廣東豐湛電子科技有限公司
• 主分類號: G01N27/30
• 分類號: G01N27/30
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司44102
• 代理人: 林偉斌,邱奕才

1.一種高度集成型pH傳感器，其特征在于，包括襯底層，以及依次形成在襯底層上的緩沖層、i-GaN層、AlN層、AlGaN層，所述i-GaN層上形成凸臺，AlN層和AlGaN層形成在i-GaN層的凸臺上，所述AlGaN層上形成有源極金屬和漏極金屬，兩者所在的區域形成傳感區域，所述i-GaN層上形成參比電極；所述i-GaN層上還設有多個Pad區域，所述源極金屬、漏極金屬和參比電極分別與對應的Pad區域電連接。

2.根據權利要求1所述的高度集成型pH傳感器，其特征在于，所述i-GaN層上還設有用于檢測溫度的溫度傳感器金屬薄膜，且其與對應的Pad區域電連接。

3.根據權利要求2所述的高度集成型pH傳感器，其特征在于，所述溫度傳感器金屬薄膜形成多個彎折部使得其呈現曲折狀。

4.根據權利要求2所述的高度集成型pH傳感器，其特征在于，所述源極金屬、漏極金屬、參比電極和溫度傳感器金屬薄膜通過金屬引線與Pad區域電連接。

5.根據權利要求2所述的高度集成型pH傳感器，其特征在于，所述源極金屬、漏極金屬和溫度傳感器金屬薄膜通過金屬引線與Pad區域電連接，所述參比電極與Pad區域接觸形成電連接。

6.根據權利要求1~5任一項所述的高度集成型pH傳感器，其特征在于，所述pH傳感器的表面覆蓋有封裝層，所述封裝層對應的源極金屬和漏極金屬之間的傳感區域、參比電極的端部以及Pad區域設有開口。

7.根據權利要求1所述的高度集成型pH傳感器，其特征在于，所述緩沖層、i-GaN層、AlN層、AlGaN層的厚度分別是1~3μm、2~4μm、0.5~1nm、20~30nm。

8.根據權利要求1或7所述的高度集成型pH傳感器，其特征在于，所述源極金屬和漏極金屬的厚度150~200nm，所述參比電極和溫度傳感器金屬薄膜的厚度為10~30nm。

9.根據權利要求8所述的高度集成型pH傳感器，其特征在于，所述源極金屬和漏極金屬間距120~600μm。