[實用新型]立式石墨烯卷對卷連續生長設備有效
| 申請號: | 201720306595.2 | 申請日: | 2017-03-27 |
| 公開(公告)號: | CN206858655U | 公開(公告)日: | 2018-01-09 |
| 發明(設計)人: | 伍俊;李占成;史浩飛;王仲勛;李華峰;李昕;黃德萍 | 申請(專利權)人: | 重慶墨希科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/54 | 分類號: | C23C16/54;C23C16/26 |
| 代理公司: | 成都點睛專利代理事務所(普通合伙)51232 | 代理人: | 劉文娟 |
| 地址: | 401329 重*** | 國省代碼: | 重慶;85 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 立式 石墨 連續 生長 設備 | ||
1.立式石墨烯卷對卷連續生長設備,包括真空上料室(1)、高溫工藝腔室(7)、真空取料室(8)、驅動裝置;所述真空上料室(1)內設置有石墨烯生長基底放料輥(2),所述真空取料室(8)內設置有石墨烯基底收料輥(9)以及收料導向輥(10);所述真空上料室(1)和真空取料室(8)均設置有真空泵;所述石墨烯生長基底放料輥(2)以及石墨烯基底收料輥(9)均通過驅動裝置,驅動轉動;所述高溫工藝腔室(7)上設置有快速加熱裝置(6);
其特征在于:所述高溫工藝腔室(7)設置在真空上料室(1)與真空取料室(8)之間;所述真空上料室(1)位于高溫工藝腔室(7)的下端,所述真空取料室(8)設置在高溫工藝腔室(7)的上端;所述高溫工藝腔室(7)的兩端均設置有快速冷卻裝置(5);
所述真空上料室(1)內設置有用于檢測石墨烯薄膜(16)張力的張力檢測裝置(3),所述真空取料室(8)內設置有用于檢測石墨烯薄膜(16)線速度的速度檢測裝置(11)。
2.如權利要求1所述的立式石墨烯卷對卷連續生長設備,其特征在于:所述驅動裝置包括第一驅動裝置(12)以及第二驅動裝置(15);所述第一驅動裝置(12)與石墨烯生長基底放料輥(2)傳動連接;所述第二驅動裝置(15)與石墨烯基底收料輥(9)傳動連接。
3.如權利要求2所述的立式石墨烯卷對卷連續生長設備,其特征在于:所述石墨烯生長基底放料輥(2)具有的轉軸穿過真空上料室(1),且通過離合器(13)與第一驅動裝置(12)傳動連接;所述石墨烯基底收料輥(9)具有的轉軸穿過真空取料室(8),且通過離合器(13)與第二驅動裝置(15)傳動連接。
4.如權利要求3所述的立式石墨烯卷對卷連續生長設備,其特征在于:所述石墨烯生長基底放料輥(2)的轉軸與真空上料室(1)之間設置有真空動密封裝置(14);所述石墨烯基底收料輥(9)的轉軸與真空取料室(8)之間設置有真空動密封裝置(14)。
5.如權利要求2、3或4所述的立式石墨烯卷對卷連續生長設備,其特征在于:所述第一驅動裝置(12)以及第二驅動裝置(15)均采用伺服電機加減速器。
6.如權利要求1所述的立式石墨烯卷對卷連續生長設備,其特征在于:所述真空上料室(1)內設置有放料導向棍(4);石墨烯生長基底放料輥(2)上的石墨烯薄膜(16)依次繞過張力檢測裝置(3)、放料導向棍(4)進入高溫工藝腔室(7)。
7.如權利要求6所述的立式石墨烯卷對卷連續生長設備,其特征在于:還包括處理器,所述處理器分別與張力檢測裝置(3)以及第一驅動裝置電連接,且所述處理器、張力檢測裝置(3)以及第一驅動裝置(12)形成反饋閉環。
8.如權利要求7所述的立式石墨烯卷對卷連續生長設備,其特征在于:所述處理器分別與速度檢測裝置(11)以及第二驅動裝置(15)電連接,且所述處理器、速度檢測裝置(11) 以及第一驅動裝置(15)形成反饋閉環。
9.如權利要求1所述的立式石墨烯卷對卷連續生長設備,其特征在于:所述真空取料室(8)內的收料導向輥(10)上設置有自然垂下與石墨烯生長基底放料輥(2)上基底卷材連接的引導段。
10.如權利要求1所述的立式石墨烯卷對卷連續生長設備,其特征在于:所述快速冷卻裝置(5)與高溫工藝腔室(7)可拆卸連接。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于重慶墨希科技有限公司,未經重慶墨希科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201720306595.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種用于板式PECVD的石墨框
- 下一篇:一種陽極變速運動式電鍍裝置
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





