[實用新型]一種化學氣相沉積系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720306140.0 | 申請日: | 2017-03-27 |
| 公開(公告)號: | CN206607312U | 公開(公告)日: | 2017-11-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 郭國平;楊暉;李海歐;曹剛;肖明;郭光燦 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學技術(shù)大學 |
| 主分類號: | C23C16/448 | 分類號: | C23C16/448;C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227 | 代理人: | 趙青朵 |
| 地址: | 230026 安*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 化學 沉積 系統(tǒng) | ||
1.一種化學氣相沉積系統(tǒng),其特征在于,包括:
化學沉積室;所述化學沉積室包括反應腔體;
設(shè)置于化學沉積室外的高溫加熱裝置;
與化學沉積室相連通的氣體供給系統(tǒng);所述氣體供給系統(tǒng)包括氣體源進氣管與固體源氣體進氣管,所述固體源氣體進氣管位于氣體源進氣管的管內(nèi);所述固體源氣體進氣管的出口與所述化學沉積室的反應腔體相連通;所述氣體源進氣管的出口與所述化學沉積室的反應腔體相連通;
與化學沉積室的反應腔體相連通的真空系統(tǒng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學氣相沉積系統(tǒng),其特征在于,所述化學氣相沉積系統(tǒng)還包括進氣法蘭;所述進氣法蘭包括第一進氣口、第二進氣口與出氣口;所述進氣法蘭的第一進氣口與出氣口相連通;所述出氣口通過卡套接口與所述氣體源進氣管相連通;所述第二進氣口與所述固體源氣體進氣管相連通,且所述第二進氣口與第一進氣口及出氣口不連通。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學氣相沉積系統(tǒng),其特征在于,所述氣體源進氣管的直徑為40~60mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學氣相沉積系統(tǒng),其特征在于,所述固體源氣體進氣管的直徑為20~30mm;長度為400~600mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學氣相沉積系統(tǒng),其特征在于,所述化學氣相沉積系統(tǒng)還包括固體源加熱裝置;所述固體源加熱裝置與所述固體源氣體進氣管的進口相連通。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的化學氣相沉積系統(tǒng),其特征在于,所述固體源加熱裝置還設(shè)置有載氣進口。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的化學氣相沉積系統(tǒng),其特征在于,所述固體源加熱裝置還設(shè)置有溫度傳感器。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的化學氣相沉積系統(tǒng),其特征在于,所述固體源氣體進氣管外纏繞有加熱帶。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學氣相沉積系統(tǒng),其特征在于,所述高溫加熱裝置以硅鉬棒作為加熱元件,氧化鎂作為保溫材料,N型熱電偶作為測溫元件。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學氣相沉積系統(tǒng),其特征在于,所述反應腔體為石英管。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





