[實(shí)用新型]半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720301547.4
• 申請日: 2017-03-27
• 公開（公告）號: CN206574709U
• 公開（公告）日: 2017-10-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王敏;何明
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所31219
• 代理人: 余明偉

1.一種半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)包括：

若干個(gè)間隔排布的有源區(qū)；

連接通孔，位于靠近各所述有源區(qū)兩端的上方，且一端與所述有源區(qū)相連接；

第一金屬層，與所述連接通孔遠(yuǎn)離所述有源區(qū)的一端相連接；

金屬疊層結(jié)構(gòu)，位于所述第一金屬層上方，且與所述第一金屬層相隔有間距；所述金屬疊層結(jié)構(gòu)包括由下至上依次間隔排布的第二金屬層至第N金屬層，其中，N≥3；所述第二金屬層至所述第N金屬層均包括若干個(gè)間隔排布的金屬塊，所述金屬塊的數(shù)量與所述連接通孔的數(shù)量相同，且所述金屬塊與所述連接通孔一一上下對應(yīng)分布。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一金屬層至所述第N金屬層中，相鄰金屬層之間的間距相等。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一金屬層至所述第N金屬層中，相鄰金屬層之間的間距不等。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于：相鄰所述金屬層之間的間距大于或等于所述連接通孔的高度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于：自所述半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)的一側(cè)至相對的另一側(cè)，各層所述金屬層的金屬塊按由所述第二金屬層中的所述金屬塊至所述第N層金屬層中的所述金屬塊的順序呈周期性排布。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述金屬塊為正方柱形金屬塊或圓柱形金屬塊。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述金屬塊的橫向尺寸與所述連接通孔的橫向尺寸相同。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)還包括介質(zhì)層，所述介質(zhì)層位于各層金屬層之間及同一金屬層的所述金屬塊之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述有源區(qū)及所述連接通孔均呈陣列分布。