[實(shí)用新型]一種無(wú)正面柵線的P型晶體硅背接觸雙面電池結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201720297522.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-03-24 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN206672943U | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-11-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙科雄 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 隆基樂(lè)葉光伏科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0224 | 分類號(hào): | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/042 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司61200 | 代理人: | 徐文權(quán) |
| 地址: | 710018 陜西省西安*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 正面 晶體 接觸 雙面 電池 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種無(wú)正面柵線的P型晶體硅背接觸雙面電池結(jié)構(gòu),其特征在于,P型晶體硅片從上而下依次包括:透明導(dǎo)電膜、減反射膜、正面鈍化膜、N型層、P型基體、背面鈍化膜、背面正極細(xì)柵線和背面正極主柵線,所述P型晶體硅片上設(shè)有通孔,所述通孔內(nèi)設(shè)置有用于連接電池正面負(fù)極和背面負(fù)極的過(guò)孔電極,所述N型層的表層設(shè)有按規(guī)則圖形分布的局部重?fù)诫sN+區(qū),所述透明導(dǎo)電膜穿透所述減反射膜和正面鈍化膜與所述局部重?fù)诫sN+區(qū)及過(guò)孔電極的頂端電接觸構(gòu)成電池負(fù)極,所述透明導(dǎo)電膜用于將電池正面匯集的電子經(jīng)過(guò)所述過(guò)孔電極導(dǎo)至電池的背面,所述背面正極細(xì)柵線穿透所述背面鈍化膜與所述P型基體形成局部歐姆接觸,并與背面正極主柵線連接在一起構(gòu)成電池正極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無(wú)正面柵線的P型晶體硅背接觸雙面電池結(jié)構(gòu),其特征在于:所述通孔大小相同,在厚度方向貫通所述P型晶體硅,等行距等列距陣列排布。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種無(wú)正面柵線的P型晶體硅背接觸雙面電池結(jié)構(gòu),其特征在于,單個(gè)所述通孔的直徑為100~500um,數(shù)量為4×4~10×10個(gè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無(wú)正面柵線的P型晶體硅背接觸雙面電池結(jié)構(gòu),其特征在于:所述局部重?fù)诫sN+區(qū)陣列排布在所述N型層上,所述局部重?fù)诫sN+區(qū)的方阻為20~60Ω/□,所述局部重?fù)诫sN+區(qū)的陣列圖形為類一維圖形、二維圖形或類一維圖形與二維圖形的組合。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種無(wú)正面柵線的P型晶體硅背接觸雙面電池結(jié)構(gòu),其特征在于,所述類一維圖形為線段、虛線段、弧線或柵線狀;所述類一維圖形的線寬為20~200um,長(zhǎng)度為0.05~1.5mm;同一行中相鄰兩個(gè)線形的間距為0.5~2mm,同一列中相鄰兩個(gè)所述線形的間距為0.5~2mm;
所述二維圖形為圓形、橢圓形、紡錘形、環(huán)形、多邊形、多角形或扇形,所述二維幾何圖形的尺寸均為20~200um,相鄰兩個(gè)圖形中心距為0.5~2mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無(wú)正面柵線的P型晶體硅背接觸雙面電池結(jié)構(gòu),其特征在于:所述背面正極細(xì)柵線為開(kāi)有一組或多組相互平行的線段,所述線段的長(zhǎng)度為10~80mm,寬度為30~300um,相鄰兩個(gè)線段之間的間距為1~4mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無(wú)正面柵線的P型晶體硅背接觸雙面電池結(jié)構(gòu),其特征在于:所述P型晶體硅片的厚度為90~190um。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種無(wú)正面柵線的P型晶體硅背接觸雙面電池結(jié)構(gòu),其特征在于:所述透明導(dǎo)電膜的厚度為50~500nm;所述減反射膜的厚度為50~100nm;所述正面鈍化膜的厚度為5~50nm,所述背面鈍化膜7包括第一背面鈍化膜和第二背面鈍化膜,所述第一背面鈍化膜的厚度為5~40nm;所述第二背面鈍化膜的厚度為50~150nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無(wú)正面柵線的P型晶體硅背接觸雙面電池結(jié)構(gòu),其特征在于:所述背面正極主柵線相互平行且等間距排布,個(gè)數(shù)為3~15根,單個(gè)所述背面正極主柵線的寬度為0.5~5mm。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種無(wú)正面柵線的P型晶體硅背接觸雙面電池結(jié)構(gòu),其特征在于:所述背面正極細(xì)柵線與至少一個(gè)所述背面正極主柵線垂直相交。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于隆基樂(lè)葉光伏科技有限公司,未經(jīng)隆基樂(lè)葉光伏科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201720297522.1/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





