[實用新型]一種無正面柵線的P型晶體硅背接觸電池結構

有效

• 申請號: 201720296580.2
• 申請日: 2017-03-24
• 公開（公告）號: CN206864480U
• 公開（公告）日: 2018-01-09
• 發明（設計）人: 趙科雄
• 申請（專利權）人: 隆基樂葉光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司61200
• 代理人: 徐文權

1.一種無正面柵線的P型晶體硅背接觸電池結構，其特征在于：P型晶體硅片從上而下依次包括：透明導電膜(1)、減反射膜(2)、正面鈍化膜(3)、N型層(4)、P型基體(6)、背面鈍化膜(7)、金屬層(8)和背面正極(9)，其中，所述P型晶體硅片上設有通孔，所述通孔內設置有用于連接電池正面負極和背面負極的過孔電極(10)，所述N型層(4)的表層設有按規則圖形分布的局部重摻雜N+區(5)，所述透明導電膜(1)依次穿透所述減反射膜(2)和正面鈍化膜(3)與所述局部重摻雜N+區(5)及所述過孔電極(10)頂端電接觸構成電池的負極，所述透明導電膜(1)用于將電池正面匯集的電子經過所述過孔電極(10)導至電池的背面，所述金屬層(8)穿透所述背面鈍化膜(7)與所述P型硅基體(6)形成局部歐姆接觸，并與背面正極(9)連接在一起構成電池正極。

2.根據權利要求1所述的一種無正面柵線的P型晶體硅背接觸電池結構，其特征在于：所述通孔大小相同，在厚度方向貫通所述P型晶體硅片，且等行距等列距陣列排布。

3.根據權利要求2所述的一種無正面柵線的P型晶體硅背接觸電池結構，其特征在于：單個所述通孔的直徑為100～500um，所述通孔的排布數量為4×4～10×10個。

4.根據權利要求1所述的一種無正面柵線的P型晶體硅背接觸電池結構，其特征在于：所述局部重摻雜N+區(5)陣列排布在所述N型層(4)上，每個所述N+區(5)的方阻為20～60Ω/□。

5.根據權利要求1所述的一種無正面柵線的P型晶體硅背接觸電池結構，其特征在于：所述局部重摻雜N+區(5)陣列規則圖形為類一維圖形、二維圖形或類一維圖形與二維圖形的組合，所述類一維圖形為線段、虛線段、弧線或柵線狀；所述二維圖形為：圓形、橢圓形、紡錘形、環形、多邊形、多角形或扇形。

6.根據權利要求5所述的一種無正面柵線的P型晶體硅背接觸電池結構，其特征在于，所述類一維圖形的線寬為20～200um，長度為0.05～1.5mm；同一行中相鄰兩個線形的間距為0.5～2mm，同一列中相鄰兩個線形的間距為0.5～2mm；所述二維幾何圖形的尺寸均為20～200um，相鄰兩個圖形中心距為0.5～2mm。

7.根據權利要求1所述的一種無正面柵線的P型晶體硅背接觸電池結構，其特征在于：所述過孔電極(10)與所述金屬層(8)之間設置有絕緣隔離(11)，所述絕緣隔離(11)的厚度為0.5～3mm。

8.根據權利要求1所述的一種無正面柵線的P型晶體硅背接觸電池結構，其特征在于：所述透明導電膜(1)為ITO薄膜、AZO薄膜、GZO薄膜、FTO薄膜、IWO薄膜和石墨烯薄膜中的一種或多種疊層構成；所述正面鈍化膜(3)為氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、非晶硅中的一種或多種疊層構成；所述減反射膜(2)包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化鈦、碳化硅等薄膜的一種或多種薄膜疊層；所述背面鈍化膜(7)為氧化鋁、氧化硅、非晶硅、氮氧化硅、氮化硅的中的一種或多種疊層構成。

9.根據權利要求8所述的一種無正面柵線的P型晶體硅背接觸電池結構，其特征在于：所述透明導電膜(1)的厚度為50～500nm，所述正面鈍化膜(3)的厚度為5～50nm，所述減反射膜(2)的厚度為50～100nm，所述背面鈍化膜(7)包括第一背面鈍化膜(7-1)和第二背面鈍化膜(7-2)，所述第一背面鈍化膜(7-1)厚度為5～40nm，所述第二背面鈍化膜(7-2)厚度為50～150nm。

10.根據權利要求1所述的一種無正面柵線的P型晶體硅背接觸電池結構，其特征在于：所述P型晶體硅片的厚度為90～190um。