[實用新型]一種平面型絕緣柵雙極晶體管

有效

• 申請號: 201720293101.1
• 申請日: 2017-03-23
• 公開（公告）號: CN206672938U
• 公開（公告）日: 2017-11-24
• 發明（設計）人: 張振中;顏劍;和魏巍;汪之涵;孫軍
• 申請（專利權）人: 深圳基本半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L21/331;H01L29/08
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司44223
• 代理人: 江耀純

1.一種平面型絕緣柵雙極晶體管，其特征在于，包括為半導體材料的基底，和設于所述基底表面上的發射區以及柵區；

所述基底包括襯底，形成于所述襯底上的阱區，和位于所述阱區上的源區，以及形成于所述阱區中的摻雜區；

所述發射區包括絕緣介質層，和設于所述絕緣介質層中的發射電極，所述發射電極與所述摻雜區相連；所述發射電極包括用于減小空穴電流路徑、提高空穴接觸面積的縱深電極和接觸電極層；

所述接觸電極層由所述縱深電極中心處外延擴展至所述阱區中，直至位于所述源區的下方。

2.如權利要求1所述的平面型絕緣柵雙極晶體管，其特征在于：所述縱深電極將所述基底上所述源區貫穿；所述接觸電極層的擴展至所述源區下方的部分與所述源區接觸，并與所述摻雜區相接觸。

3.如權利要求1所述的平面型絕緣柵雙極晶體管，其特征在于：所述阱區包括第一阱區和第二阱區，所述摻雜區設置于所述第一阱區與所述第二阱區連接處。

4.如權利要求3所述的平面型絕緣柵雙極晶體管，其特征在于：所述縱深電極將所述基底上的所述源區貫穿，并縱深至所述第一阱區的所述摻雜區處，與所述摻雜區相連；所述接觸電極層的擴展至所述源區下方的部分與所述源區接觸。

5.如權利要求3所述的平面型絕緣柵雙極晶體管，其特征在于：所述縱深電極將所述基底上的所述源區貫穿；所述接觸電極層的擴展至所述源區下方的部分與所述源區接觸，并與所述摻雜區相接觸。

6.如權利要求1所述的平面型絕緣柵雙極晶體管，其特征在于：所述接觸電極層的擴展至所述阱區中的部分的接觸面為平面、曲面、球面或扇面。