[實(shí)用新型]一種利用率高的離子源濺射靶材裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201720287616.0 | 申請(qǐng)日: | 2017-03-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN206545040U | 公開(公告)日: | 2017-10-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉偉基;冀鳴;陳蓓麗 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中山市博頓光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/34 | 分類號(hào): | C23C14/34 |
| 代理公司: | 廣州市紅荔專利代理有限公司44214 | 代理人: | 吝秀梅,李彥孚 |
| 地址: | 528437 廣東省中山市火炬*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 利用率 離子源 濺射 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及離子源濺射技術(shù)領(lǐng)域,更具體地,涉及一種利用率高的離子源濺射靶材裝置。
背景技術(shù)
離子源濺射技術(shù)是使用離子源在真空腔室中轟擊不同材料制成的靶材表面,使得靶材材料沉積到產(chǎn)品表面的一種技術(shù),是近些年發(fā)展起來的制備高質(zhì)量薄膜的一種非常重要的方法,它具有其它制膜技術(shù)無法比擬的優(yōu)點(diǎn),例如污染小,成膜條件精確可控。
但是離子源的束流方向性強(qiáng),轟擊到的靶材表面積太小,一般靶材利用率只有10%左右,造成大量的浪費(fèi),增加生產(chǎn)成本。為了提高靶材的利用率,通常采用靶材擺動(dòng)的方式,但是靶材擺動(dòng)會(huì)影響材料沉積速率的穩(wěn)定性,而且靶材擺動(dòng)幅度過大,離子束將轟擊到靶材外沿污染薄膜。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種利用率高的離子源濺射靶材裝置,該裝置不但能大幅度提高靶材的利用率,降低生產(chǎn)成本,而且能保證靶材材料沉積速率的穩(wěn)定性,保證制造的薄膜不受污染。
為達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是:
提供一種利用率高的離子源濺射靶材裝置,包括背板及可拆卸地設(shè)于所述背板上的第一靶材、第二靶材、第三靶材及第四靶材;所述四個(gè)靶材均為矩形結(jié)構(gòu),且四個(gè)靶材呈田字形結(jié)構(gòu)拼接在一起。
上述方案中,通過設(shè)置四個(gè)靶材,并將四個(gè)靶材可拆卸地呈田字形結(jié)構(gòu)拼接于背板上,使得離子源第一次濺射后能重新調(diào)整四個(gè)靶材拼接時(shí)的相對(duì)位置,使用離子源再次進(jìn)行濺射,重復(fù)靶材位置調(diào)整及離子源濺射的工作直至每個(gè)靶材的四個(gè)角均被使用為止。本實(shí)用新型一種利用率高的離子源濺射靶材裝置,不但能大幅度提高靶材的利用率,降低生產(chǎn)成本,而且能保證靶材材料沉積速率的穩(wěn)定性,保證制造的薄膜不受污染。
優(yōu)選地,所述背板為矩形結(jié)構(gòu)。由于四個(gè)靶材為矩形結(jié)構(gòu),將其固定于背板上時(shí)占據(jù)的面積也為矩形面積,相比于傳統(tǒng)的圓形結(jié)構(gòu)的背板,矩形結(jié)構(gòu)的背板能用最小的面積來固定四個(gè)靶材,這減小了背板占用的空間面積。
優(yōu)選地,四個(gè)靶材呈田字形結(jié)構(gòu)拼接在一起時(shí)的尺寸與背板的尺寸相匹配;這樣設(shè)置能最大程度地減小背板占用的空間面積。進(jìn)一步優(yōu)選地,四個(gè)靶材及背板均為正方形結(jié)構(gòu),這樣設(shè)置由于靶材的長(zhǎng)和寬相同,便于靶材的隨意拼接,提高離子源濺射生產(chǎn)薄膜的工作效率。
優(yōu)選地,背板上設(shè)有用于對(duì)四個(gè)靶材進(jìn)行定位的定位結(jié)構(gòu);定位結(jié)構(gòu)便于幫助工作人員定位四個(gè)靶材拼接時(shí)的中心位置,提高靶材固定的速度。進(jìn)一步優(yōu)選地,所述定位結(jié)構(gòu)為設(shè)于背板中心的十字形定位線,將四個(gè)靶材分別固定在十字形定位線的四個(gè)直角內(nèi),實(shí)現(xiàn)靶材的快速精確固定;或者,所述定位結(jié)構(gòu)為設(shè)于背板上的邊框,將四個(gè)靶材均固定在邊框內(nèi),實(shí)現(xiàn)靶材的快速精確固定。
優(yōu)選地,四個(gè)靶材及背板上均設(shè)有金屬結(jié)構(gòu),靶材與背板通過金屬結(jié)構(gòu)焊接連接;這樣設(shè)置便于通過控制金屬結(jié)構(gòu)的溫度的改變,實(shí)現(xiàn)靶材與背板的重新固定或重新脫離,金屬結(jié)構(gòu)為低熔點(diǎn)的金屬結(jié)構(gòu),具體為錫金屬結(jié)構(gòu)、銦金屬結(jié)構(gòu)或銦錫合金金屬結(jié)構(gòu)中的任一種,例如溫度較高時(shí),靶材與背板脫離,溫度較低時(shí),靶材與背板固定連接。進(jìn)一步優(yōu)選地,背板上設(shè)有水路冷卻系統(tǒng);水路冷卻系統(tǒng)便于使背板持續(xù)保持較低的溫度,防止離子源濺射靶材生產(chǎn)薄膜的過程中靶材與背板脫離。
使用離子源對(duì)該濺射靶材裝置進(jìn)行濺射生產(chǎn)薄膜時(shí),該靶材裝置的具體使用包括如下步驟:
S1.將第一靶材、第二靶材、第三靶材及第四靶材呈田字形結(jié)構(gòu)拼接于背板上,使用離子源進(jìn)行第一次濺射;
S2.濺射結(jié)束后,重新調(diào)整四個(gè)靶材的位置,使用離子源再次進(jìn)行濺射;
S3.重復(fù)步驟S2,直至每個(gè)靶材的四個(gè)角均被使用為止。
使用離子源對(duì)該濺射靶材裝置進(jìn)行濺射生產(chǎn)薄膜時(shí),通過重復(fù)靶材位置調(diào)整及離子源濺射的工作,使得每個(gè)靶材的四個(gè)角均能被使用,相比于濺射傳統(tǒng)的圓形靶材生產(chǎn)薄膜,該射靶材裝置的使用方式能將靶材的利用率提高到四倍,大大降低生產(chǎn)成本,而且使用該靶材裝置生產(chǎn)薄膜時(shí)不用擺動(dòng)靶材,能保證靶材材料沉積速率的穩(wěn)定性,防止靶材擺動(dòng)幅度過大造成的離子束轟擊到靶材外沿污染薄膜的問題出現(xiàn)。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
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C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
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