[實用新型]一種半絕緣分子束外延緩沖層材料結構有效

申請號：	201720266986.6	申請日：	2017-03-19
公開（公告）號：	CN206602113U8	公開（公告）日：	2018-06-05
發明（設計）人：	馮巍;杜全鋼;謝小剛;李維剛;姜煒;郭永平;蔣健	申請（專利權）人：	新磊半導體科技（蘇州）有限公司
主分類號：	H01L29/06	分類號：	H01L29/06;H01L29/201;H01L23/60;B82Y30/00
代理公司：	北京思海天達知識產權代理有限公司 11203	代理人：	沈波
地址：	215151 江蘇省蘇州市蘇州高新***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	半絕緣緩沖層分子束外延緩沖層材料多量子阱電學隔離性能集成電路芯片靜電防護能力本實用新型材料結構低溫生長襯底生長
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【說明書】：

本實用新型公開了一種半絕緣分子束外延緩沖層材料結構，在半絕緣GaAs襯底(1)上依次生長LT-GaAs緩沖層(2)、LT-GaAs/LT-AlGaAs多量子阱緩沖層(3)、LT-GaAs/LT-AlGaAs多量子阱緩沖層(4)、NT-AlGaAs緩沖層(5)。該材料結構在適當的低溫生長條件下具有半絕緣的特性，可以增強集成電路芯片的電學隔離性能，提高靜電防護能力。

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