[實用新型]一種分子束外延生產設備中的2吋、3吋襯底托板結構

有效

• 申請號: 201720266910.3
• 申請日: 2017-03-19
• 公開（公告）號: CN206692776U8
• 公開（公告）日: 2018-06-05
• 發明（設計）人: 杜全鋼;謝小剛;李維剛;馮巍;姜煒;郭永平;蔣健
• 申請（專利權）人: 新磊半導體科技（蘇州）有限公司
• 主分類號: C30B25/12
• 分類號: C30B25/12
• 代理公司: 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203
• 代理人: 沈波

1.一種分子束外延生產設備中的2吋、3吋襯底托板結構，其特征在于：該托板結構包括3吋襯底托板、臺階型單元孔(1)和2吋到3吋轉換托板；16個臺階型單元孔(1)均勻分布在3吋襯底托板內，2吋到3吋轉換托板放置在3吋襯底的臺階型單元孔內；

3吋襯底的臺階型單元孔的中心上設有放置3吋襯底片臺階(2)和放置3吋片熱輻射阻擋環臺階(3)；放置3吋片熱輻射阻擋環臺階(3)設置在放置3吋襯底片臺階(2)上；

2吋到3吋轉換托板上設有放置2吋襯底片臺階(4)、放置2吋片熱輻射阻擋環臺階(5)、放置3吋襯底片臺階的倒臺階(6)和放置3吋片熱輻射阻擋環臺階的倒臺階(7)，放置2吋襯底片臺階(4)、放置2吋片熱輻射阻擋環臺階(5)設置在2吋到3吋轉換托板的中心，放置2吋片熱輻射阻擋環臺階(5)設置在放置2吋襯底片臺階(4)上；放置3吋襯底片臺階的倒臺階(6)和放置3吋片熱輻射阻擋環臺階的倒臺階(7)設置在2吋到3吋轉換托板的周向，放置3吋襯底片臺階的倒臺階(6)設置在放置3吋片熱輻射阻擋環臺階的倒臺階(7)上。

2.根據權利要求1所述的一種分子束外延生產設備中的2吋、3吋襯底托板結構，其特征在于：放置3吋襯底片臺階的倒臺階(6)的尺寸與放置3吋襯底片臺階(2)的尺寸相配合，放置3吋片熱輻射阻擋環臺階的倒臺階(7)的尺寸與放置3吋片熱輻射阻擋環臺階(3)的尺寸相配合。