[實(shí)用新型]大電流無(wú)磁芯EMC濾波器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201720261025.6 | 申請(qǐng)日: | 2017-03-17 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN207652041U | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-07-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉海濤 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 珠海博翔科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H02J3/01 | 分類號(hào): | H02J3/01 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 519015 廣東省珠海市吉大景樂(lè)*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 穿心 容性 輸入端子 大電流 無(wú)磁芯 吸收器 紋波 本實(shí)用新型 電路端子 輸出端子 共模 電容器 濾波器 電感 并聯(lián)接入電路 高頻吸收器 磁性元件 高頻紋波 吸收器件 串接 濾除 匹配 配合 | ||
本實(shí)用新型涉及大電流無(wú)磁芯EMC濾波器,包括X電容(C1,C2,C3)、電路端子、穿心容性低頻共模紋波吸收器和/或穿心容性高頻吸收器,所述電路端子包括第一輸入端子(A)、第二輸入端子(B)、第一輸出端子(C)和第二輸出端子(D),所述穿心容性低頻共模紋波吸收器(M1)和/或穿心容性高頻紋波吸收器(M2)串接在所述第一輸入端子(A)和第二輸入端子(C)之間,所述X電容并聯(lián)接入電路。本實(shí)用新型的大電流無(wú)磁芯EMC濾波器,采用體積小巧的特殊穿心容性紋波吸收器件作為主要的EMI濾除器件,配合相匹配的電容器,不需要采用磁性元件(電感),就可以取得非常有效的EMC抑制效果,濾波器的體積和成本都可以得到大幅降低。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及電子電路濾波器,特別是涉及無(wú)磁性元件的電磁抗干擾器。
背景技術(shù)
現(xiàn)有技術(shù)的EMC濾波器產(chǎn)品,都由具有磁芯的磁性器件(電感)與電容共同構(gòu)成。特別是當(dāng)流過(guò)直流或者低頻大電流時(shí),比如100A~1000A,為了防止電感中磁芯飽和,不得不采取增大磁芯尺寸,同時(shí)降低工作點(diǎn)磁感應(yīng)強(qiáng)度的辦法來(lái)設(shè)計(jì)其中的電感。這樣,導(dǎo)致現(xiàn)有的大電流EMC濾波器為了取得好的效果,而出現(xiàn)成本昂貴和體積龐大的現(xiàn)象。
實(shí)用新型內(nèi)容
基于此,針對(duì)現(xiàn)有技術(shù),本實(shí)用新型的所要解決的技術(shù)問(wèn)題就是提供一種成本低、結(jié)構(gòu)小巧的大電流無(wú)磁芯EMC濾波器。
本實(shí)用新型的技術(shù)方案為:
一種大電流無(wú)磁芯EMC濾波器,包括X電容(C1,C2,C3)、電路端子、穿心容性低頻共模紋波吸收器和/或穿心容性高頻吸收器,所述電路端子包括第一輸入端子(A)、第二輸入端子(B)、第一輸出端子(C)和第二輸出端子(D),所述穿心容性低頻共模紋波吸收器(M1)和/或穿心容性高頻紋波吸收器(M2) 串接在所述第一輸入端子(A)和第二輸入端子(C)之間,所述X電容并聯(lián)接入電路。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述穿心容性低頻共模紋波吸收器(M1)包括共模連接端子(X,Y,Z)、共模金屬薄膜介質(zhì)(a,b),所述共模金屬薄膜介質(zhì)(a, b)包括共模第一金屬薄膜介質(zhì)(a)和共模第二金屬薄膜介質(zhì)(b),所述共模連接端子(X,Y,Z)包括兩共模大電流銅排端子(X,Y)和一接地端子(Z),兩所述共模大電流銅排端子(X,Y)之間設(shè)所述共模第一金屬薄膜介質(zhì)(a),所述接地端子(Z)與所述共模第二金屬薄膜介質(zhì)(b)導(dǎo)通,所述共模第一金屬薄膜介質(zhì) (a)和共模第二金屬薄膜介質(zhì)(b)平行設(shè)置構(gòu)成一電容器,所述接地端子(Z)進(jìn)行接地連接。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述穿心容性高頻吸收器(M2)包括高頻連接端子 (X′,Y′)和高頻金屬薄膜介質(zhì)(p,q),所述高頻金屬薄膜介質(zhì)(p,q)為繞制在所述高頻連接端子(X′,Y′)上的金屬薄膜介質(zhì),所述高頻金屬薄膜介質(zhì)(p, q)構(gòu)成等效電容,所述高頻連接端子(X′,Y′)的銅排之間構(gòu)成等效電感和等效電阻。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述大電流無(wú)磁芯EMC濾波器采用級(jí)聯(lián)模式連接。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,并聯(lián)接入電路的所述X電容數(shù)量為3個(gè)。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,并聯(lián)接入電路的所述X電容數(shù)量為2個(gè)。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,并聯(lián)接入電路的所述X電容數(shù)量為1個(gè)。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,電路中不使用所述X電容。
相對(duì)現(xiàn)有技術(shù),本實(shí)用新型的大電流無(wú)磁芯EMC濾波器,采用體積小巧的特殊穿心容性紋波吸收器件作為主要的EMI濾除器件,配合相匹配的電容器,不需要采用磁性元件(電感),就可以取得非常有效的EMC抑制效果,濾波器的體積和成本都可以得到大幅降低。
使用本實(shí)用新型的大電流無(wú)磁芯EMC濾波器,具有如下具體技術(shù)效果:
1)、無(wú)磁性元件,無(wú)飽和失效可能;
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