[實(shí)用新型]一種負(fù)載過流過壓保護(hù)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720257200.4
• 申請(qǐng)日: 2017-03-16
• 公開（公告）號(hào): CN206542179U
• 公開（公告）日: 2017-10-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅天雄;蔣俊峰;王佳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳華制智能制造技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H02H3/10
• 分類號(hào): H02H3/10;H02H3/087;H02H3/20
• 代理公司: 深圳市精英專利事務(wù)所44242
• 代理人: 劉貽盛

1.一種負(fù)載過流過壓保護(hù)電路，其特征在于，包括升壓芯片(11)、中央處理器MCU(12)、負(fù)載設(shè)備(13)、開關(guān)電路(14)、電流采樣電路(15)和電壓采樣電路(17)，升壓芯片(11)的使能信號(hào)EN由中央處理器MCU(12)控制、連接中央處理器MCU(12)的GPO1接口；升壓芯片(11)的電壓信號(hào)SW的輸出端連接負(fù)載設(shè)備(13)的正極，給負(fù)載設(shè)備(13)供電；負(fù)載設(shè)備(13)的負(fù)極連接開關(guān)電路(14)并經(jīng)過電流采樣電路(15)接地，中央處理器MCU(12)連接開關(guān)電路(14)的控制信號(hào)的輸入端、電流采樣電路(15)的信號(hào)輸出端和電壓采樣電路(17)的信號(hào)輸出端，中央處理器MCU(12)通過根據(jù)電流采樣電路(15)和/或電壓采樣電路(17)的采樣信號(hào)控制開關(guān)電路(14)的導(dǎo)通與關(guān)斷來控制負(fù)載設(shè)備(13)的導(dǎo)通和關(guān)斷。

2.如權(quán)利要求1所述的一種負(fù)載過流過壓保護(hù)電路，其特征在于，所述開關(guān)電路(14)包括一NMOS管Q1和一電阻R3，負(fù)載設(shè)備(13)的工作內(nèi)阻為電阻R7，電阻R7的一端連接升壓芯片(11)的電壓信號(hào)SW的輸出端，電阻R7的另一端連接NMOS管Q1的漏極，NMOS管Q1的柵極接電阻R3的一端，電阻R3的另一端接中央處理器MCU(12)的GPO2接口，NMOS管Q1的源極接電流采樣電路(15)。

3.如權(quán)利要求2所述的一種負(fù)載過流過壓保護(hù)電路，其特征在于，所述電流采樣電路(15)包括一采樣電阻R1，采樣電阻R1的一端連接NMOS管Q1的源極，采樣電阻R1的另一端接地。

4.如權(quán)利要求3所述的一種負(fù)載過流過壓保護(hù)電路，其特征在于，還包括一濾波電路(16)，電流采樣電路(15)的信號(hào)輸出端經(jīng)過所述濾波電路(16)連接到中央處理器MCU(12)的模/數(shù)轉(zhuǎn)換輸入接口ADC_IN1，所述濾波電路(16)包括一電阻R6和一電容C1，所述電阻R6的一端連接采樣電阻R1的一端，電阻R6的另一端連接電容C1的一端和中央處理器MCU(12)的模/數(shù)轉(zhuǎn)換輸入接口ADC_IN1，電容C1的另一端接地。

5.如權(quán)利要求4所述的一種負(fù)載過流過壓保護(hù)電路，其特征在于，所述電壓采樣電路(17)包括一電阻R4和一電阻R5，電阻R5的一端連接升壓芯片(11)的電壓信號(hào)SW的輸出端，電阻R5的另一端連接中央處理器MCU(12)的模/數(shù)轉(zhuǎn)換輸入接口ADC_IN2和電阻R4的一端，電阻R4的另一端接地。

6.如權(quán)利要求5所述的一種負(fù)載過流過壓保護(hù)電路，其特征在于，所述升壓芯片(11)的電壓信號(hào)SW的輸出端經(jīng)過穩(wěn)壓二極管D1的正極連接電阻R7的一端和電阻R5的一端。

7.如權(quán)利要求6所述的一種負(fù)載過流過壓保護(hù)電路，其特征在于，還包括一電阻R2，電阻R2的一端連接NMOS管Q1的柵極，電阻R2的另一端接地。

8.如權(quán)利要求7所述的一種負(fù)載過流過壓保護(hù)電路，其特征在于，所述升壓芯片(11)的型號(hào)為FP6291；所述中央處理器MCU(12)的型號(hào)為STM32F103；NMOS管Q1的型號(hào)為AO3402。

9.如權(quán)利要求7所述的一種負(fù)載過流過壓保護(hù)電路，其特征在于，所述采樣電阻R1的取值范圍為0.2-1Ω。

10.如權(quán)利要求9所述的一種負(fù)載過流過壓保護(hù)電路，其特征在于，所述采樣電阻R1為0.49Ω，電阻R2為100KΩ，電阻R3為2KΩ，電阻R4為100KΩ，電阻R5為499KΩ，電阻R6為10KΩ，電容C1為100nF。