[實用新型]一種基于二次諧波交叉注入鎖定技術的正交壓控振蕩器電路

有效

• 申請號: 201720255888.2
• 申請日: 2017-03-16
• 公開（公告）號: CN206727960U
• 公開（公告）日: 2017-12-08
• 發明（設計）人: 高海軍;孫玲玲
• 申請（專利權）人: 杭州電子科技大學
• 主分類號: H03B5/24
• 分類號: H03B5/24
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務所有限公司33100
• 代理人: 董世博

1.一種基于二次諧波交叉注入鎖定技術的正交壓控振蕩器電路，其特征在于，包括兩個差分電容電感壓控振蕩器電路、兩個二次諧波注入結構電路、兩根二次諧波處的1/4波長傳輸線和一個尾電流管；每個差分電容電感壓控振蕩器電路包括兩個NMOS管、一個帶中心抽頭的電感、兩個變容管、兩個MIM電容和兩個電阻,電感的一端作為差分電容電感壓控振蕩器的正相輸出端，另一端作為差分電容電感壓控振蕩器的反相輸出端，兩個電阻的一端相互連接，并作為差分電容電感壓控振蕩器變容管偏置電壓輸入端，兩個變容管的一端相互連接，并作為差分電容電感壓控振蕩器的控制電壓輸入端，兩個NMOS管的源極相互連接并接地；所述二次諧波注入結構包括一個耦合電容、一個偏置電阻和一個注入管；所述注入管的漏極與差分電容電感壓控振蕩器的正相輸出端連接，注入管的源極與差分電容電感壓控振蕩器的反相輸出端連接，所述差分電容電感壓控振蕩器與尾電流管連接，所述尾電流管用來提供偏置電流，所述差分電容電感壓控振蕩器的電感的中心抽頭與二次諧波處1/4波長傳輸線的一端連接，所述二次諧波處1/4波長傳輸線的另一端與尾電流管的漏極相連。

2.根據權利要求1所述的一種基于二次諧波交叉注入鎖定技術的正交壓控振蕩器電路，其特征在于：所述差分電容電感壓控振蕩器電路的兩個NMOS管為第一NMOS管、第二NMOS管，所述兩個變容管為第一變容管、第二變容管，所述兩個MIM電容為第一電容、第二電容，所述兩個電阻為第一電阻和第二電阻，所述第一NMOS管的漏極、第二NMOS管的柵極、第一MIM電容的一端和電感的一端相連，作為差分電容電感壓控振蕩器的正相輸出端；第二NMOS管的漏極、第一NMOS管的柵極、第二MIM電容的一端和電感的另一端相連，作為差分電容電感壓控振蕩器的反相輸出端；第一電容的另一端、第一電阻的一端和第一變容管的一端相連；第二電容的另一端、第二電阻的一端和第二變容管的一端相連。

3.根據權利要求1所述的一種基于二次諧波交叉注入鎖定技術的正交壓控振蕩器電路，其特征在于：所述二次諧波注入結構電路包括一個耦合電容、一個偏置電阻和一個注入管；所述耦合電容的一端作為信號注入端；所述耦合電容的另一端與偏置電阻的一端、注入管的柵極相連接；偏置電阻的另一端為偏置電壓輸入端。

4.根據權利要求1所述的一種基于二次諧波交叉注入鎖定技術的正交壓控振蕩器電路，其特征在于：所述兩個二次諧波注入結構電路和兩個差分電容電感壓控振蕩器電路，將兩個二次諧波注入結構電路的信號注入端交叉連接到另一個差分電容電感壓控振蕩器電路的電感的中心抽頭。