[實用新型]一種GaN基發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720252826.6
• 申請日: 2017-03-15
• 公開（公告）號: CN206558531U
• 公開（公告）日: 2017-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王國斌;徐春陽;邢志剛;張偉
• 申請（專利權(quán)）人: 中晟光電設(shè)備（上海）股份有限公司
• 主分類號: H01L33/04
• 分類號: H01L33/04;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 孟金喆,胡彬

1.一種GaN基發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

襯底；

第一類型外延層，位于所述襯底上；

電子隧道層，位于所述第一類型外延層上遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，用于控制所述第一類型外延層提供的電子形成隧道效應(yīng)；

量子阱結(jié)構(gòu)層，位于所述電子隧道層上遠(yuǎn)離所述第一類型外延層的一側(cè)；

第二類型外延層，位于所述量子阱結(jié)構(gòu)層上遠(yuǎn)離所述電子隧道層的一側(cè)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電子隧道層包括電子震蕩層和應(yīng)力控制層，所述電子震蕩層用于控制所述電子形成震蕩的亞穩(wěn)態(tài)結(jié)構(gòu)，所述應(yīng)力控制層用于對所述量子阱結(jié)構(gòu)層進行應(yīng)力控制。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的GaN基發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電子震蕩層的厚度小于所述應(yīng)力控制層的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的GaN基發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電子震蕩層的禁帶寬度小于所述應(yīng)力控制層的禁帶寬度。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的GaN基發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電子震蕩層為單層InGaN結(jié)構(gòu)，或者InGaN層和GaN層的循環(huán)結(jié)構(gòu)，其中，In的固態(tài)組分為0.5％-3.5％。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的GaN基發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述應(yīng)力控制層為單層InGaN結(jié)構(gòu)，或者InGaN層和GaN層的循環(huán)結(jié)構(gòu)，其中，In的固態(tài)組分為3.5％-8.0％。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的GaN基發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，當(dāng)所述電子震蕩層或者所述應(yīng)力控制層為InGaN層和GaN層的循環(huán)結(jié)構(gòu)時，所述InGaN層與GaN層之間的厚度比例范圍為0.5-3。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述量子阱結(jié)構(gòu)層包括InGaN勢阱層和GaN勢壘層的循環(huán)結(jié)構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括非摻雜GaN層，位于所述襯底與所述第一類型外延層之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的GaN基發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括氮化物成核層，位于所述襯底與所述非摻雜GaN層之間。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一類型外延層為N型GaN層，所述第二類型外延層為P型GaN層。