[實(shí)用新型]一種電源溫控電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720250063.1
• 申請(qǐng)日: 2017-03-15
• 公開（公告）號(hào): CN206506757U
• 公開（公告）日: 2017-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 司曙
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇綠友光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H05B33/08
• 分類號(hào): H05B33/08
• 代理公司: 常州佰業(yè)騰飛專利代理事務(wù)所(普通合伙)32231
• 代理人: 王玉平

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及LED照明技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種電源溫控電路。

背景技術(shù)

目前,市場上常用的LED路燈驅(qū)動(dòng)電源,有時(shí)會(huì)長時(shí)間高溫環(huán)境中使用，就出現(xiàn)內(nèi)部溫度高，導(dǎo)致電子元器件的壽命降低，影響整個(gè)驅(qū)動(dòng)與燈的使用壽命。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于：針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述技術(shù)問題，提供一種電源溫控電路。

本實(shí)用新型是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：

一種電源溫控電路，包括輸入端Vf，所述輸入端Vf通過電阻R40、溫度開關(guān)K1串接后連接到電壓比較器U3B的高輸入端或電阻R32連接到電壓比較器U3B的高輸入端，所述電壓比較器U3B的高輸入端、電阻R32、電阻R40均通過電阻R31接GND端，電壓比較器U3B的低輸入端經(jīng)過電阻R29、電容C13串接后接到電壓比較器U3B的輸出端，所述電壓比較器U3B的輸出端通過光電耦合器U2A、U2B連通控制芯片IC的FB腳，電壓比較器U3B的輸出端與光電耦合器U2A之間串聯(lián)有反向二極管D10，控制芯片IC的GD管腳連接MOS場效應(yīng)管Q1的柵極，所述MOS場效應(yīng)管Q1的源極連接GND端，MOS場效應(yīng)管Q1的漏極連接變壓器T1的初級(jí)線圈，所述控制芯片IC的VDD管腳與二極管D6串聯(lián)后接入變壓器T1的次級(jí)線圈，控制芯片IC的VDD管腳還連接有電容C3，變壓器T1的初級(jí)線圈通過整流橋BD1連接交流電，所述變壓器T1的輸出端串聯(lián)有二極管D8，變壓器T1的輸出端并聯(lián)有電容C16。

進(jìn)一步，所述溫度開關(guān)K1為常閉型溫度開關(guān)。

進(jìn)一步，所述電壓比較器U3B的型號(hào)為2904。

進(jìn)一步，所述控制芯片IC的型號(hào)為6562A。

綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型的有益效果是：

本實(shí)用新型設(shè)計(jì)的溫度控制電路，能夠達(dá)到當(dāng)溫度達(dá)到一個(gè)高值后，將實(shí)現(xiàn)自動(dòng)降低輸出功率及輸出電流的方式，以減少整體的發(fā)熱溫度來延長燈與電源的使用壽命。

附圖說明

本實(shí)用新型將通過例子并參照附圖的方式說明，其中：

圖1為本實(shí)用新型的電路示意圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。這些附圖均為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本實(shí)用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實(shí)用新型有關(guān)的構(gòu)成。

如圖1所示，一種電源溫控電路，包括輸入端Vf，所述輸入端Vf通過電阻R40、溫度開關(guān)K1串接后連接到電壓比較器U3B的管腳5或電阻R32連接到電壓比較器U3B的管腳5，其中，溫度開關(guān)K1為常閉型溫度開關(guān)，電壓比較器U3B的型號(hào)為2904；所述電壓比較器U3B的管腳5、電阻R32、電阻R40均通過電阻R31接GND端，電壓比較器U3B的管腳6經(jīng)過電阻R29、電容C13串接后接到電壓比較器U3B的管腳7，所述電壓比較器U3B的管腳7通過光電耦合器U2A、U2B連通控制芯片IC的FB腳，所述電壓比較器U3B的管腳8、光電耦合器U2A的管腳1并入變壓器T1的次級(jí)線圈，T1的次級(jí)線圈連接有二極管D5和電容C2，電壓比較器U3B的管腳4連接GND端，電壓比較器U3B的管腳7與光電耦合器U2A的管腳2之間串聯(lián)有反向二極管D10，控制芯片IC的GD管腳連接MOS場效應(yīng)管Q1的柵極，所述MOS場效應(yīng)管Q1的源極連接GND端，MOS場效應(yīng)管Q1的漏極連接變壓器T1的初級(jí)線圈，所述控制芯片IC的VDD管腳與二極管D6串聯(lián)后接入變壓器T1的次級(jí)線圈，控制芯片IC的VDD管腳還連接有電容C3，控制芯片IC的型號(hào)為6562A，所述變壓器T1的初級(jí)線圈通過整流橋BD1連接交流電，所述變壓器T1的輸出端串聯(lián)有二極管D8，變壓器T1的輸出端并聯(lián)有電容C16。

本實(shí)用新型是當(dāng)與R40串接的常閉型溫度開關(guān)K1達(dá)到它的動(dòng)作溫度時(shí)，溫度開關(guān)K1將打開，R40與R32并聯(lián)狀態(tài)改變，電路阻值變大，電壓比較器U3B的管腳5電壓減小，電壓比較器的U3B的管腳5與管腳6進(jìn)行電壓比較，管腳6為整個(gè)電源的電流取樣電壓，電壓比較器U3B的管腳5電壓降低，管腳6也降低，然后通過光耦傳輸?shù)阶儔浩鱐1的初級(jí)的控制芯片IC，通過控制芯片IC產(chǎn)生的PWM信號(hào)對(duì)MOS場效應(yīng)管Q1進(jìn)行開關(guān)控制，來實(shí)現(xiàn)降低整個(gè)電源輸出電流。

以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型。本實(shí)用新型擴(kuò)展到任何在本說明書中披露的新特征或任何新的組合，以及披露的任一新的方法或過程的步驟或任何新的組合。