[實用新型]一種高頻低功耗升壓模塊有效
| 申請號： | 201720249295.5 | 申請日： | 2017-03-15 |
| 公開（公告）號： | CN206517299U | 公開（公告）日： | 2017-09-22 |
| 發明（設計）人： | 程華志 | 申請（專利權）人： | 珠海思創電氣有限公司 |
| 主分類號： | H02M3/155 | 分類號： | H02M3/155 |
| 代理公司： | 廣州市紅荔專利代理有限公司44214 | 代理人： | 王賢義 |
| 地址： | 519085 廣東省珠*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高頻 功耗 升壓 模塊 | ||
【權利要求書】：
1.一種高頻低功耗升壓模塊，其特征在于：它包括輸入電源（BT1）、升壓芯片（U1）、上拉電阻（R1）、反饋電阻（R2）、肖特基二極管（D1）、前饋電容（C2）、濾波電容I（C1）和濾波電容II（C3）、諧振電感（L1）,所述輸入電源（BT1）的正極連接所述諧振電感（L1）的一端、所述濾波電容I（C1）的一端、所述升壓芯片（U1）的第4腳和第5腳 ，所述輸入電源（BT1）的負極連接所述濾波電容I（C1）的另一端、所述升壓芯片（U1）的第2腳、所述反饋電阻（R2）的一端、所述濾波電容II（C3）的一端、電路共地端，所述諧振電感（L1）的另一端連接所述升壓芯片（U1）的第1腳、所述肖特基二極管（D1）的正極，所述肖特基二極管（D1）的負極連接所述上拉電阻（R1）的一端、所述前饋電容（C2）的一端、所述濾波電容II（C3）的另一端、電路輸出端Vout,所述上拉電阻（R1）的另一端連接所述反饋電阻（R2）的另一端，所述前饋電容（C2）的另一端連接所述升壓芯片（U1）的第3腳。
2.根據權利要求1所述的一種高頻低功耗升壓模塊，其特征在于：所述升壓芯片（U1）內包括MOS開關管，所述MOS開關管導通時所述肖特基二極管（D1）反偏截止，所述MOS開關管關斷時所述肖特基二極管（D1）正向導通。
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