[實用新型]非易失性存儲器設備

有效

• 申請號: 201720248226.2
• 申請日: 2017-03-14
• 公開（公告）號: CN206672935U
• 公開（公告）日: 2017-11-24
• 發明（設計）人: J·德拉洛
• 申請（專利權）人: 意法半導體(魯塞)公司
• 主分類號: H01L27/11529
• 分類號: H01L27/11529;H01L27/11524;G11C16/10;G11C16/14
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 王茂華,張昊

1.一種非易失性存儲器設備，其特征在于，所述非易失性存儲器設備包括至少一個存儲器單元(CEL)，所述至少一個存儲器單元包括：選擇晶體管(TRS)，所述選擇晶體管包括嵌入在半導體襯底區域(SB1，SB2)中的絕緣選擇柵極(SG)；半導體源極區域(S)，所述半導體源極區域與所述嵌入式絕緣選擇柵極的下部(31)接觸；狀態晶體管(TR)，所述狀態晶體管包括具有嵌入在所述襯底區域中在所述嵌入式絕緣選擇柵極的上部(30)上方的至少一個絕緣部分(10)的浮柵(FG)、半導體漏極區域(D1，D2)、以及與所述浮柵絕緣并且部分地位于所述浮柵上方的控制柵極(CG)，所述源極區域(S)、所述漏極區域(D1，D2)和所述襯底區域(SB1，SB2)以及所述控制柵極(CG)是單獨可極化的。

2.根據權利要求1所述的設備，其特征在于，所述存儲器單元(CEL)可通過福勒-諾得海姆效應擦除并且可通過源極側載流子注入進行編程。

3.根據權利要求1所述的設備，其特征在于，所述浮柵(FG1)完全嵌入在所述襯底中。

4.根據權利要求1所述的設備，其特征在于，所述浮柵包括兩個絕緣塊(FG21，FG22)，所述兩個絕緣塊由所述控制柵極(CG2)的第一部分(201)分開并且被所述控制柵極的第二部分(200)覆蓋，所述第一部分延伸至所述嵌入式絕緣選擇柵極附近。

5.根據權利要求1所述的設備，其特征在于，所述襯底區域包括兩個單獨可極化的襯底區(SB1，SB2)，所述兩個單獨可極化的襯底區位于所述嵌入式選擇柵極的任一側和所述浮柵的所述至少一個嵌入部分的任一側。

6.根據權利要求1所述的設備，其特征在于，所述漏極區域包括兩個單獨可極化的漏極區(D1，D2)，所述兩個單獨可極化的漏極區位于所述浮柵的所述至少一個嵌入部分的任一側。

7.根據權利要求5或6所述的設備，其特征在于，包括存儲器平面(PM)，所述存儲器平面包括沿平行于第一方向(DR1)的多條第一線以及平行于第二方向(DR2)的多條第二線以矩陣形式安排的多個存儲器單元(CEL_i,j)，同一第一線的所有單元的控制柵極(CG_i,j)可通過第一金屬化層(CGL_j)被極化，同一第一線的所有單元的漏極區可通過第二金屬化層(BL_j)被極化，并且同一第一線的兩個相鄰存儲器單元(CEL_i,j，CEL_i+1,j)共享公共漏極區，同一第二線的所有單元的選擇柵極(SG_i,j)可通過第三金屬化層(WL_i)被極化，同一第一線的兩個相鄰存儲器共享公共襯底區，并且同一第二線的所有公共襯底區可通過第四金屬化層(SBL_i,i+1)被極化，并且所述存儲器平面的所有存儲器單元的源極區域可同時被極化。