[實用新型]半導體裝置

有效

• 申請號: 201720247767.3
• 申請日: 2017-03-14
• 公開（公告）號: CN206619592U
• 公開（公告）日: 2017-11-07
• 發明（設計）人: 班文貝;歐坤錫
• 申請（專利權）人: 艾馬克科技公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/488;H01L21/56;H01L23/31
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司11243
• 代理人: 許靜,安利霞

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

基板，其包括：

第一基板側面、與所述第一基板側面相反的第二基板側面、以及多個延伸在所述第一基板側面與所述第二基板側面之間的周邊基板側面；

第一導電層，其在所述第一基板側面并且包括在所述第一基板側面的中央圖案、以及在所述第一基板側面而且在所述周邊基板側面的第一邊緣圖案；以及

第二導電層，其在所述第二基板側面并且電連接至所述第一導電層；

半導體晶粒，其包括第一晶粒側面、與所述第一晶粒側面相反并且耦接至所述第一基板側面的第二晶粒側面、以及多個延伸在所述第一晶粒側面與所述第二晶粒側面之間的周邊晶粒側面；以及

導電的互連結構，其將所述半導體晶粒電連接至所述中央圖案；

囊封體，其在所述第一基板側面上并且至少覆蓋所述周邊晶粒側面。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，包括囊封體，所述囊封體在所述第一基板側面上并且至少覆蓋所述周邊晶粒側面。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二導電層包括導電貫孔，其從所述第一導電層直接延伸至所述第二基板側面。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一導電層以及所述第二導電層中的一層是直接電鍍在所述第一導電層以及所述第二導電層中的另一層上。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一邊緣圖案包括所述第一導電層的連續的帶，其覆蓋所述第一基板側面的整個周邊。

6.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二導電層包括在所述周邊基板側面的第二邊緣圖案。

7.如權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，所述周邊基板側面中的至少一個是完全由所述第一邊緣圖案以及所述第二邊緣圖案所構成。

8.如權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二邊緣圖案具有不同于所述第一邊緣圖案的橫向的寬度。

9.如權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二邊緣圖案比所述第一邊緣圖案較厚的。

10.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一導電層包括連接器圖案，其連接所述中央圖案以及所述第一邊緣圖案。

11.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

基板，其包括：

第一基板側面、與所述第一基板側面相反的第二基板側面、以及多個延伸在所述第一基板側面與所述第二基板側面之間的周邊基板側面；

中央圖案，其在所述第一基板側面被露出；

多個導電貫孔，其連接至所述中央圖案并且在所述第二基板側面被露出；以及

邊緣圖案，其在所述周邊基板側面被露出并且完全地環繞所述基板來延伸；以及

半導體晶粒，其耦接至所述第一基板側面。

12.如權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，所述邊緣圖案包括多個在所述周邊基板側面的導電層。

13.如權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，所述邊緣圖案包括：

第一導電層，其在所述周邊基板側面并且具有第一寬度；以及

第二導電層，其在所述周邊基板側面并且具有不同于所述第一寬度的第二寬度。

14.如權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，包括連接圖案，所述連接圖案包括多個將所述邊緣圖案連接至所述中央圖案的接地線路的線路。

15.如權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，包括單一連續的層的模制材料，所述模制材料覆蓋以下的每一個的至少一側表面：所述中央圖案、所述多個導電貫孔、以及所述邊緣圖案。

16.如權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，所述邊緣圖案在所述基板的整個周邊周圍形成連續的導電的帶。