[實用新型]一種真空吸管頭

有效

• 申請號: 201720245051.X
• 申請日: 2017-03-14
• 公開（公告）號: CN206806310U
• 公開（公告）日: 2017-12-26
• 發明（設計）人: 姜龍;蔣冬華;趙吾陽;廖鵬宇;宋亮;鄧治國
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司11291
• 代理人: 郭潤湘

技術領域

本實用新型涉及真空吸附技術領域，尤其涉及一種真空吸管頭。

背景技術

在半導體工業中，干法刻蝕和化學氣相沉積等工藝是集成電路與平板顯示領域的關鍵技術，是形成具有良好電學特性的TFT的重要環節。

干法刻蝕是刻蝕工藝的一種，它是利用氣壓為10～1000帕的特定氣體的輝光放電，當特定氣體進入腔室中，射頻電源同時打開，特定氣體在真空腔室中能夠生成等離子體(plasma)，等離子體主要由電離氣體(Ionized gas)和自由基(Radical)組成。該等離子體與沉積在基板上的薄膜反應生成揮發性物質，進而在腔室內表面沉積形成不良粒子源。

化學氣相沉積是指以氣體為原材料，在空間進行氣相化學反應，在基板表面進行固態薄膜沉積的工藝技術。PECVD(等離子增強化學氣相沉積，英文全稱為Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，簡稱PECVD)利用強電場或磁場使所需的氣體源分子電離產生等離子體，等離子體中含有很多活性很高的化學基團，這些基團經過經一系列化學和等離子體反應，在基板表面形成固態薄膜。PECVD工藝中在玻璃基板表面成膜的同時也會有膜層沉積在腔室的內部，因此會形成不良粒子源。

隨著腔室使用時間的增加，腔室內沉積不良粒子源對產品品質的影響越來越嚴重，一旦腔室內沉積的不良粒子源在工藝過程中掉落，將會嚴重影響TFT的性能，進而造成面板良率的大幅降低。

現有技術中，通常采用百潔布對腔室內部的不良粒子源進行定期的清理，之后采用真空吸管吸走不良粒子源，然而，在采用百潔布對腔室內部進行清理的過程中，極易在腔室內產生大量揚塵，這些揚塵無法全部被真空吸管吸走，因而在下一次的成膜工藝過程中，將極易導致產品品質不良。

實用新型內容

本實用新型的目的是提供一種真空吸管頭，以提高對工藝腔室進行清理的效率和質量，進而提高在工藝腔室內進行成膜操作的產品的品質。

本實用新型實施例提供一種真空吸管頭，包括用于與真空吸管連接的連接部、與所述連接部固定連接的支撐部以及設置于所述支撐部表面的清潔裝置。

當采用本實用新型實施例提供的真空吸管頭與真空吸管連接后對工藝腔室進行清潔時，清潔裝置在對工藝腔室內的不良粒子源進行清潔的同時，真空吸管可以將清潔裝置清潔的不良粒子源吸出腔室外，相比現有技術，大大地減少了揚塵現象的產生，并且縮短了作業時間，提高了對工藝腔室進行清潔的效率和質量，進一步可以提高在工藝腔室內進行成膜操作的產品的品質。

優選的，所述支撐部為網狀支撐部。

優選的，所述支撐部為蜘蛛網狀支撐部。

優選的，所述清潔裝置套設于所述支撐部外側。

優選的，所述清潔裝置與所述支撐部可拆卸連接。

具體的，所述清潔裝置包括百潔布。

優選的，所述百潔布具有網狀結構。

優選的，所述清潔裝置為柔性清潔裝置。

附圖說明

圖1為本實用新型實施例真空吸管頭的主視圖；

圖2為本實用新型實施例不帶清潔裝置的真空吸管頭的立體結構示意圖；

圖3為本實用新型實施例不帶清潔裝置的真空吸管頭的主視圖；

圖4為本實用新型實施例支撐部的平面結構示意圖。

附圖標記說明：

10-連接部

20-支撐部

30-清潔裝置

具體實施方式

為了提高對工藝腔室進行清理的效率和質量，進而提高在工藝腔室內進行成膜操作的產品的品質，本實用新型實施例提供了一種真空吸管頭。下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

如圖1所示，本實用新型實施例提供一種真空吸管頭，包括用于與真空吸管連接的連接部10、與連接部10固定連接的支撐部20以及設置于支撐部20表面的清潔裝置30。

當采用本實用新型實施例提供的真空吸管頭與真空吸管連接后對工藝腔室進行清潔時，清潔裝置在對工藝腔室內的不良粒子源進行清潔的同時，真空吸管可以將清潔裝置清潔的不良粒子源吸出腔室外，相比現有技術，大大地減少了揚塵現象的產生，并且縮短了作業時間，提高了對工藝腔室進行清潔的效率和質量，進一步可以提高在工藝腔室內進行成膜操作的產品的品質。