[實用新型]一種基于雙層微帶的超寬帶低損耗功率分配器有效
| 申請號: | 201720242744.3 | 申請日: | 2017-03-14 |
| 公開(公告)號: | CN206602169U | 公開(公告)日: | 2017-10-31 |
| 發明(設計)人: | 吳邊;黃啟滿;夏磊;趙雨桐;高嵩 | 申請(專利權)人: | 西安伊艾姆科技有限公司 |
| 主分類號: | H01P5/12 | 分類號: | H01P5/12 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 710000 陜西省西安*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 雙層 微帶 寬帶 損耗 功率 分配器 | ||
1.一種基于雙層微帶的超寬帶低損耗功率分配器,其特征在于:包括輸入端口(5)、第一輸出端口(6)、第二輸出端口(7)、設置在輸入端口(5)和第一輸出端口(6)、第二輸出端口(7)之間的多級阻抗功分結構(8)、上微帶介質基板(1)和下微帶介質基板(2);
所述上微帶介質基板(1)和下微帶介質基板(2)相貼合,上微帶介質基板(1)的上表面和下微帶介質基板(2)的下表面均為金屬接地面;
所述多級阻抗功分結構(8)包括兩組對稱的多節階梯阻抗傳輸線,其位于下微帶介質基板(2)的上表面,兩組多節階梯阻抗傳輸線之間設有一組隔離電阻(9),對稱的兩多節階梯阻抗傳輸線每節的末端通過一隔離電阻(9)相連。
2.根據權利要求1所述的基于雙層微帶的超寬帶低損耗功率分配器,其特征在于:所述上微帶介質基板(1)和下微帶介質基板(2)的接觸面、多級阻抗功分結構(8)的兩側均設有金屬條帶(4);
所述金屬條帶上開有若干金屬化過孔(3),分別貫穿上微帶介質基板(1)和下微帶介質基板(2),將上微帶介質基板(1)的上表面和下微帶介質基板(2)的下表面相連通。
3.根據權利要求1所述的基于雙層微帶的超寬帶低損耗功率分配器,其特征在于:所述上微帶介質基板(1)上開有容納隔離電阻(9)的若干通孔(10),所述通孔(10)為非金屬化過孔。
4.根據權利要求1-3任一所述的基于雙層微帶的超寬帶低損耗功率分配器,其特征在于:所述上微帶介質基板(1)和下微帶介質基板(2)均為單面覆銅介質基板,覆銅面為金屬接地面,非覆銅面相貼合。
5.根據權利要求4所述的基于雙層微帶的超寬帶低損耗功率分配器,其特征在于:所述上微帶介質基板(1)和下微帶介質基板(2)均采用介電常數為2.2,板厚均為0.7mm的單面覆銅介質基板。
6.根據權利要求1-3任一所述的基于雙層微帶的超寬帶低損耗功率分配器,其特征在于:所述多節階梯阻抗傳輸線為八節階梯阻抗傳輸線,對稱的兩階梯阻抗傳輸線每節的末端通過一隔離電阻(9)相連。
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