[實(shí)用新型]一種新型傳感器信號采集芯片的基準(zhǔn)電流測試結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720242549.0 | 申請日: | 2017-03-14 | 
| 公開(公告)號: | CN207248986U | 公開(公告)日: | 2018-04-17 | 
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 江石根 | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州格美芯微電子有限公司 | 
| 主分類號: | G01R19/257 | 分類號: | G01R19/257 | 
| 代理公司: | 上海宣宜專利代理事務(wù)所(普通合伙)31288 | 代理人: | 劉君 | 
| 地址: | 江蘇省蘇州市高新*** | 國省代碼: | 江蘇;32 | 
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 | 
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 新型 傳感器 信號 采集 芯片 基準(zhǔn) 電流 測試 結(jié)構(gòu) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種新型傳感器信號采集芯片的基準(zhǔn)電流的測試結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
在傳感器信號采集芯片中,為了采集傳感器的微小信號,傳感器信號芯片內(nèi)部需要內(nèi)置一個基準(zhǔn)電流,該基準(zhǔn)電流需要非常穩(wěn)定且流量微小(0.1uA 以下),同時我們需要對基準(zhǔn)電流進(jìn)行實(shí)時監(jiān)測。但是,對該基準(zhǔn)電流的監(jiān)測一直是行業(yè)內(nèi)的困難點(diǎn),目前,行業(yè)內(nèi)較優(yōu)的基準(zhǔn)電流測試結(jié)構(gòu)是在傳感器信號采集芯片中內(nèi)置14位以上的逐次逼近型AD轉(zhuǎn)換器,但是由于內(nèi)置14 位以上的逐次逼近型AD轉(zhuǎn)換器的嵌入,導(dǎo)致傳感器采集芯片的整體功耗增加,也影響了該基準(zhǔn)電流的穩(wěn)定性。且內(nèi)置14位以上的逐次逼近型AD轉(zhuǎn)換器價格昂貴,功耗較大,會導(dǎo)致整個傳感器采集芯片的面積增大,成本較高,但是還不能精準(zhǔn)的采集和反饋傳感器信號。
為了解決以上傳感器信號采集芯片中基準(zhǔn)電流的測試問題,本發(fā)明提供一種基準(zhǔn)電流的測試結(jié)構(gòu),采用本發(fā)明提供的基準(zhǔn)電流測試結(jié)構(gòu),可以準(zhǔn)確的測試傳感器信號采集芯片中的基準(zhǔn)電流,且不會對基準(zhǔn)電流造成干擾,從而保證了整個傳感器信號采集芯片輸出信號的穩(wěn)定性。此外,相較于行業(yè)內(nèi)較優(yōu)的基準(zhǔn)電流測試結(jié)構(gòu),采用本發(fā)明的方法還能夠降低整個傳感器信號采集芯片的功耗、面積和成本。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型涉及一種新型的傳感器信號采集芯片的基準(zhǔn)電流測試結(jié)構(gòu)。
一種新型的傳感器信號采集芯片101的基準(zhǔn)電流的測試結(jié)構(gòu)具體如下特征:新型的基準(zhǔn)電流測試結(jié)構(gòu)中,有一組跟原有的基準(zhǔn)電流電路102完全相同的電路103,該電路103在空間上與原電路102之間沒有接觸點(diǎn),且該電路 103配合版圖安裝在傳感器信號采集芯片101內(nèi)部。該電路通過電流引出元件 104將傳感器信號采集芯片101內(nèi)部的基準(zhǔn)電流引出到芯片外部,并在合適的電流測試點(diǎn)105進(jìn)行電流監(jiān)測。
進(jìn)一步的,本發(fā)明的搭建新電路103可以為一條電路M,也可以為n條并聯(lián)支路M,具體的n≥2,較為優(yōu)選的n為2-16,進(jìn)一步優(yōu)選的,n=8。
進(jìn)一步的,每一條電路M上包含晶體管31、電阻、電容等元件。
進(jìn)一步的,每一條電路M上包含有n個晶體管,n為≥1的自然數(shù),較為優(yōu)選的,n為2-8。
進(jìn)一步的,晶體管31可以是PMOS管和NMOS管,較為優(yōu)選的,本發(fā)明中采用PMOS管。
進(jìn)一步的,每一條電路M上的電阻為poly電阻、high-poly電阻、ndiff 電阻、pdiff電阻、well電阻等。
進(jìn)一步的,每一條電路M上的電容為PMOS電容、NMOS電容、PIP電容、MIM電容等。
進(jìn)一步的,本發(fā)明的電流引出元件104為金屬線通過pad引出到傳感器信號采集芯片101的外部進(jìn)行測試,進(jìn)一步的,在金屬線上分布有傳輸門(由 NMOS管和PMOS管組成)和阻流電阻。
進(jìn)一步的,本發(fā)明的電流測試點(diǎn)105在傳感器信號采集芯片101的外部,電流測試點(diǎn)105與傳感器信號采集芯片101的距離根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行確定。
進(jìn)一步的,本發(fā)明的電流測試點(diǎn)105的電流測試元件,可以是電阻/電壓測電流元件,也可以AD轉(zhuǎn)換器。
進(jìn)一步的,電阻可以是碳膜電阻、水泥電阻、金屬膜電阻和繞線電阻等。
進(jìn)一步的,AD轉(zhuǎn)換器可以為1)積分型;2)壓頻變換型;3)并行比較型/串并型比較型;4)調(diào)制型;5)電容陣列逐次逼近型;6)逐次逼近型。較為優(yōu)選的,AD轉(zhuǎn)換器為逐次逼近型,更進(jìn)一步優(yōu)選的,AD轉(zhuǎn)換器為14 位或14位以上的逐次逼近型。
附圖說明
圖1是本發(fā)明的新型的傳感器采集芯片的基準(zhǔn)電流測試方法的流程示意圖。
圖2是本發(fā)明的新型的傳感器采集芯片的基準(zhǔn)電流測試方法的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3是本發(fā)明的基準(zhǔn)電流電路或新搭建的電路圖。
圖4是本發(fā)明的具體實(shí)施案例1的新型的傳感器采集芯片的基準(zhǔn)電流測試方法的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5是本發(fā)明的具體實(shí)施案例2的新型的傳感器采集芯片的基準(zhǔn)電流測試方法的結(jié)構(gòu)示意圖。
主要元件符號說明
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