[實(shí)用新型]陣列基板、顯示面板及顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720236870.8
• 申請(qǐng)日: 2017-03-13
• 公開（公告）號(hào): CN206773360U
• 公開（公告）日: 2017-12-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李元行;鄭麗華;蔡壽金;朱繹樺;陳國(guó)照
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門天馬微電子有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1362
• 分類號(hào): G02F1/1362
• 代理公司: 北京晟睿智杰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙)11603
• 代理人: 于淼

技術(shù)領(lǐng)域

本公開一般涉及顯示技術(shù)，尤其涉及一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置。

背景技術(shù)

通常液晶顯示面板中主要包括陣列基板、彩膜基板和液晶層。其中陣列基板包括多個(gè)薄膜晶體管、多個(gè)像素電極以及每個(gè)像素電極對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)電容。每一個(gè)薄膜晶體管用于向其對(duì)應(yīng)的像素電極的存儲(chǔ)電容提供電壓信號(hào)以驅(qū)動(dòng)該像素電極對(duì)應(yīng)的液晶旋轉(zhuǎn)一定角度從而使得顯示面板顯示圖像。

在顯示面板加電工作時(shí)，每一個(gè)薄膜晶體管打開時(shí)向其對(duì)應(yīng)的像素電極提供電壓信號(hào)；在每一個(gè)薄膜晶體管關(guān)閉時(shí)像素電極對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)電容保持該電壓信號(hào)直至下一次薄膜晶體管再次打開。理想中的薄膜晶體管可以視為一個(gè)開關(guān)，在其關(guān)閉時(shí)無漏電流，這樣存儲(chǔ)電容上的電壓信號(hào)無損失。而實(shí)際中，在薄膜晶體管關(guān)閉狀態(tài)下，由于光線的照射而產(chǎn)生的漏電流會(huì)引起存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容上的電壓信號(hào)發(fā)生損失，從而使得顯示面板在顯示圖像時(shí)亮度變暗，影響顯示效果。

實(shí)用新型內(nèi)容

鑒于現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷或不足，期望提供一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的至少一個(gè)技術(shù)問題。

第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N陣列基板，陣列基板包括襯底基板、設(shè)置在襯底基板一側(cè)的多個(gè)薄膜晶體管，以及設(shè)置在薄膜晶體管與襯底基板之間的遮光結(jié)構(gòu)；薄膜晶體管包括有源層，有源層包括重?fù)诫s區(qū)、輕摻雜區(qū)和溝道區(qū)；遮光結(jié)構(gòu)向有源層的正投影至少覆蓋薄膜晶體管的輕摻雜區(qū)、溝道區(qū)、部分重?fù)诫s區(qū)；遮光結(jié)構(gòu)的邊緣包括傾角區(qū)，有源層包括形成在傾角區(qū)上方的過渡區(qū)；過渡區(qū)位于重?fù)诫s區(qū)。

可選的，陣列基板還包括第一導(dǎo)體層和第二導(dǎo)體層，薄膜晶體管還包括柵極、源極/漏極，其中柵極沿第一方向延伸；柵極設(shè)置于第一導(dǎo)體層，且覆蓋溝道區(qū)的位置；柵極與溝道區(qū)之間設(shè)置有柵極絕緣層；源極/漏極設(shè)置于第二導(dǎo)體層，且覆蓋部分重?fù)诫s區(qū)；柵極與源/漏極之間設(shè)置有絕緣層。

可選的，重?fù)诫s區(qū)包括源極區(qū)和漏極區(qū)，有源層包括多個(gè)過渡區(qū)；至少一個(gè)過渡區(qū)位于源極區(qū)和/或至少一個(gè)過渡區(qū)位于漏極區(qū)。

可選的，重?fù)诫s區(qū)包括第一重?fù)诫s區(qū)和第二重?fù)诫s區(qū)，第一重?fù)诫s區(qū)和第二重?fù)诫s區(qū)分別位于溝道區(qū)的相對(duì)兩側(cè)；遮光結(jié)構(gòu)包括第一部分和第二部分，第一部分向有源層的投影覆蓋部分第一重?fù)诫s區(qū)、部分第二重?fù)诫s區(qū)及溝道區(qū)，第二部分向有源層的投影覆蓋部分第二重?fù)诫s區(qū)；第一部分具有沿第一方向的第一寬度，第二部分具有沿第一方向的第二寬度；其中，第二寬度小于第一寬度。

可選的，第二寬度為K，溝道區(qū)具有沿第一方向的第三寬度L；其中K-L≥2μm。

可選的，遮光結(jié)構(gòu)傾角區(qū)的傾角θ滿足：16°＜θ＜26°。

可選的，過渡區(qū)的晶粒的尺寸小于重?fù)诫s區(qū)內(nèi)、過渡區(qū)之外的區(qū)域內(nèi)的晶粒的尺寸。

可選的，所述遮光結(jié)構(gòu)的厚度T滿足：300nm＜T＜1500nm。

第二方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N顯示面板，該顯示面板包括上述陣列基板，顯示面板還包括與所述陣列基板相對(duì)設(shè)置的彩膜基板，以及設(shè)置在所述陣列基板與所述彩膜基板之間的液晶層。

第三方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N顯示裝置，包括上述顯示面板。

本申請(qǐng)的方案，通過優(yōu)化遮光結(jié)構(gòu)，使得有源層的過渡區(qū)位于薄膜晶體管的重?fù)诫s區(qū)，從而具有較多晶界的有源層的過渡區(qū)遠(yuǎn)離薄膜晶體管的輕摻雜區(qū)和溝道區(qū)，可以降低由于過渡區(qū)與輕摻雜區(qū)交疊造成的漏電流，從而可以改善由于漏電流引起的存儲(chǔ)電容上的電壓信號(hào)損失造成的顯示面板顯示亮度變暗的現(xiàn)象。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖所作的對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本申請(qǐng)的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯：

圖1示出了現(xiàn)有陣列基板的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2示出了圖1所示薄膜晶體管的過渡區(qū)的局部平面放大示意圖；

圖3示出了圖1所示陣列基板中薄膜晶體管的一種平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4A示出了本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種陣列基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4B示出了圖4A所示陣列基板中薄膜晶體管的平面結(jié)構(gòu)示意圖及薄膜晶體管與遮光結(jié)構(gòu)的相對(duì)位置關(guān)系示意圖；

圖5示出了本申請(qǐng)實(shí)施例提供的另一種陣列基板中薄膜晶體管的平面結(jié)構(gòu)示意圖及薄膜晶體管與遮光結(jié)構(gòu)的相對(duì)位置關(guān)系示意圖；

圖6示出了本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7示出了本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式