[實用新型]一種對SSN具有超帶寬抑制能力的新型EBG結構

有效

• 申請號: 201720232112.9
• 申請日: 2017-03-10
• 公開（公告）號: CN206506000U
• 公開（公告）日: 2017-09-19
• 發明（設計）人: 靳蒙蒙;胡華清;孫志敏
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: H01P1/203
• 分類號: H01P1/203;H01Q1/52
• 代理公司: 北京市中聞律師事務所11388
• 代理人: 蔣玉

1.一種對SSN具有超帶寬抑制能力的新型EBG結構，包括傳統Meader L-bridge結構單元（1）、增強型AI-EBG結構單元（2）、新型嵌入式EBG結構單元（3），其特征在于，EBG金屬電源層（4）的頂部刻蝕有矩形細槽（5），金屬接地板（6）位于介質層（7）的底部，且為底部的表面層上，所述EBG金屬電源層（4）位于介質層（7）的頂部，且為頂部的表面層上，所述傳統Meader L-bridge結構單元（1）中內嵌設置有增強型AI-EBG結構結構單元（2），所述新型嵌入式EBG結構單元（3）僅在電源平面進行內嵌，地平面則保持完整。

2.根據權利要求1所述的一種對SSN具有超帶寬抑制能力的新型EBG結構，其特征在于，介質為介電常數ε_r =4.4，耗散因子為tanδ =0.02的FR4材料。

3.根據權利要求2所述的一種對SSN具有超帶寬抑制能力的新型EBG結構，其特征在于，所述介質厚度范圍為0.38～0.45mm，銅箔厚度范圍為0.03～0.04mm。