[實用新型]一種鈍化接觸全背電極太陽電池結構有效
| 申請號: | 201720229879.6 | 申請日: | 2017-03-10 |
| 公開(公告)號: | CN206595264U | 公開(公告)日: | 2017-10-27 |
| 發明(設計)人: | 李華;魯偉明;李中蘭 | 申請(專利權)人: | 泰州隆基樂葉光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 南京正聯知識產權代理有限公司32243 | 代理人: | 王素琴 |
| 地址: | 225300 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 鈍化 接觸 電極 太陽電池 結構 | ||
1.一種鈍化接觸全背電極太陽電池結構,其特征在于:包括硅片襯底,在硅片襯底正面設置金字塔絨面,硅片襯底背面形成拋光面,在硅片襯底背面設置遂穿氧化層,在遂穿氧化層上交替排列N型多晶硅層和P型多晶硅層,N型多晶硅層和P型多晶硅層中間通過本征多晶硅層隔離開來,N型多晶硅層和P型多晶硅層上分別設置對應的N區金屬接觸電極和P區金屬接觸電極。
2.如權利要求1所述的一種鈍化接觸全背電極太陽電池結構,其特征在于:在N型多晶硅層、P型多晶硅層以及本征多晶硅層上設置背面鈍化膜,在背面鈍化膜上對應N區金屬接觸電極的位置設置有N區接觸孔,在背面鈍化膜上對應P區金屬接觸電極的位置設置有P區接觸孔,然后在N區接觸孔中設置對應的N區金屬接觸電極,在P區接觸孔中設置對應的P區金屬接觸電極,并且N區金屬接觸電極的上端伸出N區接觸孔,P區金屬接觸電極的上端伸出P區接觸孔,其中背面鈍化膜結構為AlOx/SiNx或者SiO2/AlOx/SiNx的疊層膜組合。
3.如權利要求1或2所述的一種鈍化接觸全背電極太陽電池結構,其特征在于:所述硅片襯底為N型硅片襯底,金字塔絨面上還設置有前表面場,在前表面場外側設置正面鈍化減反膜。
4.如權利要求1或2所述的一種鈍化接觸全背電極太陽電池結構,其特征在于:遂穿氧化層的厚度為0.5-5nm,多晶硅層厚度為20-300nm 。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于泰州隆基樂葉光伏科技有限公司,未經泰州隆基樂葉光伏科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201720229879.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種具有伺服電機的防撞抗壓升降路障
- 下一篇:一種帶有蜂窩紙板的包裝結構
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





