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[實用新型]雙層異質結構模具有效

專利信息
申請號: 201720228736.3 申請日: 2017-03-10
公開(公告)號: CN207002246U 公開(公告)日: 2018-02-13
發明(設計)人: 董健;金焱立;龍芝劍;孫笠;董鶴 申請(專利權)人: 浙江工業大學
主分類號: B82B1/00 分類號: B82B1/00;B82B3/00;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 杭州天正專利事務所有限公司33201 代理人: 黃美娟,王兵
地址: 310014 浙*** 國省代碼: 浙江;33
權利要求書: 查看更多 說明書: 查看更多
摘要:
搜索關鍵詞: 雙層 結構 模具
【說明書】:

技術領域

本實用新型涉及一種雙層異質結構模具,屬于模具領域。

背景技術

自從德國人Gleiter在1984年成功制備出納米級別的金屬晶體鈀、銅、鐵等以來,同時由于納米材料其本身具有表面效應、體積效應和量子尺寸效應等,表現出眾多獨特的物理化學性質,其在材料領域的研究漸漸成為一個熱點。科學家們逐漸發現納米材料因其結構上的特性使其在醫學、催化、光吸收、磁介質、水體處理及新材料等方面具有廣闊的應用前景。現有的制備微納米材料的方法主要可以分為兩大類:化學方法和物理方法。具體來說主要有模板合成法、液相沉淀法、氣相沉積法、高能球磨法及水熱法等方法。其中模板合成法因具有大量其他方法所不具有的優點而被廣泛運用。模板法通常被用來制備具有特殊形狀的微納米材料,如微納米絲、微納米管和微納米線等。

目前利用微納米材料表面特性,通過設計微納二級結構的幾何參數,使微米結構和納米結構的浸潤性呈梯度變化,達到制作一種能滴狀冷凝且自集水的微納結構表面的目的。但現有的制備較復雜且該技術幾乎都是實驗室級別的合成技術,在工業生產中大批量生產制造很難實現。

發明內容

為了解決上述問題,本實用新型提出了一種制造簡單、實現工業生產的微納結構模具、制造方法及其在制備微納米材料的應用。

本實用新型所述的一種雙層異質結構模具,包括硅襯板,其特征在于:所述的硅襯板的上表層沿硅襯板軸向分布多列微米級凹槽組,并且每列所述的凹槽組包括若干等距排列的微米凹槽,相鄰兩列凹槽組軸向間距梯度漸增;整個所述的硅襯板上表面分布均勻的納米級孔,所述的微米凹槽以及分布在微米凹槽表面的納米級孔形成雙層結構。

所述微米凹槽為內凹倒正四棱臺。

所述微米凹槽的倒四棱臺邊長為10~100微米。

所述納米級孔為內凹半球形結構。

所述納米級孔的半球直徑為50~100納米。

根據本實用新型所述的一種微納二級結構模具的制造方法,其特征在于所述制造方法包括以下步驟:

a)將硅片拋光、清洗后,作為硅襯板,在通入氧氣和氮氣、900~1100℃條件下,在其一面熱氧化淀積一層SiO2,獲得一面帶有SiO2層的硅襯板,記為硅襯板A;

b)在硅襯板A的SiO2層表面涂覆一層光刻膠作掩膜,并在光刻膠層開設窗口,然后浸入BOE溶液中,室溫放置至窗口處暴露出硅襯板為止,取出清洗,去除光刻膠,清洗、烘干,獲得SiO2層帶有腐蝕凹槽的硅襯板,記為硅襯板B;

c)向硅襯板B腐蝕凹槽中加入濃度為35~40%的KOH水溶液,在80~100℃對硅襯板B進行60~80min的濕法刻蝕,形成微米凹槽,清洗、烘干,獲得帶有SiO2層及微米凹槽的硅襯板,記為硅襯板C;

d)將硅襯板C浸入BOE溶液中,室溫放置至去除SiO2層,清洗、烘干,獲得帶微米凹槽的硅襯板,記為硅襯板D;

e)以Al為靶材料,以硅襯板D為電極,在0.1~1Pa,在氦氣惰性氣體的條件下,濺射30min,在硅襯板D帶微米凹槽面濺射一層Al膜,獲得帶Al膜的硅襯板,記為硅襯板E;

f)將硅襯板E浸入0.3mol/L磷酸水溶液的電解質中,在0℃左右,偏置電壓190V條件下,以兩步陽極氧化法將硅襯板E的Al膜氧化成孔間距350~500nm,孔徑50~100nm的多孔狀均勻有序的AAO膜(AAO膜的最終厚度取決于上述Al膜的厚度,在這里沒有特殊要求),獲得表面帶AAO勢壘層的硅襯板,記為硅襯板F;所述AAO膜為Al2O3膜;

g)將硅襯板F再次浸入0.3mol/L磷酸水溶液的電解液中,繼續氧化,當電路電流發生3~4次突變時,停止電解,此時電解液穿過多孔AAO膜對硅襯板表面形成SiO2球,獲得帶SiO2球的硅襯板,記為硅襯板H,根據硅原子數守恒和單位體積摩爾數,表明每生成一份厚度的SiO2,需要消耗0.46份厚度的Si,即生成一個SiO2球,其中SiO2球一半凸出在外,另一半鑲嵌在最終成型的硅襯板H中;

h)將將硅襯板H浸入質量分數是6%的磷酸和1.5%的鉻酸混合溶液中,室溫靜置30min以上去除AAO膜,獲得帶SiO2島的硅襯板,記為硅襯板I;

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