[實用新型]一種穩定增益的MMIC放大器

有效

• 申請號: 201720210396.1
• 申請日: 2017-03-06
• 公開（公告）號: CN206472106U
• 公開（公告）日: 2017-09-05
• 發明（設計）人: 王玉軍
• 申請（專利權）人: 成都泰格微電子研究所有限責任公司
• 主分類號: H03F1/30
• 分類號: H03F1/30;H03G3/30
• 代理公司: 成都金英專利代理事務所(普通合伙)51218
• 代理人: 袁英

技術領域

本實用新型涉及放大器領域，尤其是一種穩定增益的MMIC放大器。

背景技術

在系統應用時，要求在不同的應用環境下電子元器件的指標不會有大的變化，對于放大器而言，在高溫下增益會降低，低溫下增益會抬升，且設計的放大器的級數越多，高低溫帶來的增益變化越大，在某些項目中，會要求高低溫變化帶來的增益變化不能超過3dB。一般來說，單級放大器在140攝氏度變化下增益變動約為1dB，由于該放大器頻段高且寬，且增益有一定要求，需采用三級實現，若采用通常的設計方法，高低溫下增益變化量余量不大，有一定的設計風險。

實用新型內容

本實用新型的目的在于克服現有技術的不足，提供一種穩定增益的MMIC放大器。

本實用新型的目的是通過以下技術方案來實現的：一種穩定增益的MMIC放大器，它包括第一場效應管，所述的第一場效應管的漏極和第二電阻的一端相連接；第一場效應管的柵極與第一電阻的一端相連接；第一場效應管的源極和第二場效應管的漏極相連接；第二場效應管的柵極和第二場效應管的源極相連并通過接地孔接地。所述的第一場效應管為放大場效應管。所述的第二場效應管為恒流源FET。所述的第一場效應管的柵極被偏置在0V。所述的第二場效應管的漏極與源極間電壓為一個正的直流電位。所述的第一場效應管柵極與源極間電壓為負。

本實用新型的有益效果是：采用了恒流源自偏置的方式，通過FET管代替傳統MMIC自偏置MMIC放大器中的源極電阻，穩定了高低溫下放大器的增益及電流。

附圖說明

圖1為恒流源自偏置MMIC放大器原理圖；

圖2為MMIC放大器增益(S(2,1))曲線。

具體實施方式

下面結合附圖進一步詳細描述本實用新型的技術方案，但本實用新型的保護范圍不局限于以下所述。

如圖1所示，一種穩定增益的MMIC放大器；它包括第一場效應管FET1，所述的第一場效應管FET1的漏極和第二電阻R2的一端相連接；第一場效應管FET1的柵極與第一電阻R1的一端相連接；第一場效應管FET1的源極和第二場效應管FET2的漏極相連接；第二場效應管FET2的柵極和第二場效應管FET2的源極相連并通過接地孔接地。所述的第一場效應管FET1為放大場效應管。所述的第二場效應管FET2為恒流源FET。所述的第一場效應管FET1的柵極被偏置在0V。所述的第二場效應管FET2的漏極與源極間電壓為一個正的直流電位。所述的第一場效應管FET1柵極與源極間電壓為負。

利用ADS軟件對設計的MMIC放大器進行建模、仿真，得到放大器的增益、噪聲及駐波曲線。圖2為恒流源自偏置結構的MMIC放大器的增益曲線，其中最上面一天曲線為-55攝氏度下增益，中間曲線為+15攝氏度下增益，最下面一條曲線為+85攝氏度下增益，可以看到，高低溫下增益變化量約1.5dB。通過仿真結果可以看出，該MMIC放大器起到了改善高低溫下增益變化的作用，適合系統應用需求。

以上所述僅是本實用新型的優選實施方式，應當理解本實用新型并非局限于本文所披露的形式，不應看作是對其他實施例的排除，而可用于各種其他組合、修改和環境，并能夠在本文所述構想范圍內，通過上述教導或相關領域的技術或知識進行改動。而本領域人員所進行的改動和變化不脫離本實用新型的精神和范圍，則都應在本實用新型所附權利要求的保護范圍內。