[實用新型]低柵漏電容的縱向場效應晶體管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720207029.6
• 申請日: 2017-03-06
• 公開（公告）號: CN206490067U
• 公開（公告）日: 2017-09-12
• 發(fā)明（設計）人: 胡欣
• 申請（專利權）人: 上海矽望電子科技有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/417
• 代理公司: 上海大視知識產權代理事務所(特殊普通合伙)31314
• 代理人: 蔡沅

1.一種低柵漏電容的縱向場效應晶體管，包括：

襯底，作為漏極；

P-體區(qū)，形成于所述的襯底頂部的一部分；

N+注入?yún)^(qū)，作為源極，形成于所述的P-體區(qū)頂部的一部分；

多晶硅，作為柵極，形成于所述的襯底頂部的另一部分與所述的P-體區(qū)頂部的另一部分之上；

其特征在于，還包括：

厚柵氧區(qū)，形成于所述的多晶硅與所述的襯底之間。

2.根據(jù)權利要求1所述的低柵漏電容的縱向場效應晶體管，其特征在于，所述的厚柵氧區(qū)為熱氧化層或淺槽隔離層。

3.根據(jù)權利要求1所述的低柵漏電容的縱向場效應晶體管，其特征在于，還包括：

P+注入?yún)^(qū)，作為體區(qū)引出端，形成于所述的P-體區(qū)頂部。

4.根據(jù)權利要求3所述的低柵漏電容的縱向場效應晶體管，其特征在于，所述的多晶硅覆蓋于所述的P-體區(qū)頂部未設置N+注入?yún)^(qū)和P+注入?yún)^(qū)的部分以及所述的厚柵氧區(qū)的頂部。