[實用新型]一種PERC太陽能電池

有效

• 申請號: 201720203427.0
• 申請日: 2017-03-03
• 公開（公告）號: CN206697487U
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發明（設計）人: 何達能;方結彬;陳剛
• 申請（專利權）人: 廣東愛康太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/068
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司44202
• 代理人: 胡楓

技術領域

本實用新型涉及太陽能電池技術領域，尤其涉及一種PERC太陽能電池。

背景技術

晶硅太陽能電池是一種有效吸收太陽輻射能，利用光生伏打效應把光能轉換成電能的器件，當太陽光照在半導體P-N結上，形成新的空穴-電子對，在P-N結電場的作用下，空穴由N區流向P區，電子由P區流向N區，接通電路后就形成電流。

傳統晶硅太陽能電池基本上只采用正面鈍化技術，在硅片正面用PECVD的方式沉積一層氮化硅膜，降低少子在前表面的復合速率，可以大幅度提升晶硅電池的開路電壓和短路電流，從而提升晶硅太陽電池的光電轉換效率。

隨著對晶硅電池的光電轉換效率的要求越來越高，需要提出新的太陽能電池以滿足市場要求。

發明內容

本實用新型所要解決的技術問題在于，提供一種PERC太陽能電池，可提高電池的光電轉換效率，減少硅片損傷，提高產品合格率。

本實用新型提供了一種PERC太陽能電池，包括背面電極、全鋁背電場、背面氮化硅膜、背面氧化鋁膜、P型硅、N型發射極、正面氮化硅膜和正面電極，所述背面電極、全鋁背電場、背面氮化硅膜、背面氧化鋁膜、P型硅、N型發射極、正面氮化硅膜和正面電極從下至上依次連接，所述背面氮化硅膜和背面氧化鋁膜設有激光開槽區，全鋁背電場通過在激光開槽區設有局部鋁背場，與P型硅形成局部接觸；

所述背面氮化硅膜的厚度大于正面氮化硅膜的厚度。

作為所述PERC太陽能電池的優選技術方案，所述背面氮化硅膜的厚度為80-300nm。

作為所述PERC太陽能電池的優選技術方案，所述正面氮化硅膜的厚度為50-120nm，折射率為1.8-2.3。

作為所述PERC太陽能電池的優選技術方案，所述背面氧化鋁膜的厚度為2-30nm。

作為所述PERC太陽能電池的優選技術方案，所述正面電極為Ag電極，所述背面電極為Ag電極或Cu電極。

作為所述PERC太陽能電池的優選技術方案，所述正面電極占電池正面面積的比例為4%-10%。

作為所述PERC太陽能電池的優選技術方案，所述PERC太陽能電池的方塊電阻為100-150歐/□。

實施本實用新型實施例，具有如下有益效果：

本實用新型所述PERC太陽能電池在硅片的正面和背面都設有鈍化層，而背面鈍化層由氧化鋁膜和氮化硅膜復合而成，降低少子濃度，從而降低表面復合速率，提高電池的光電轉換效率。而在設置氮化硅膜層厚度時將背面氮化硅膜的厚度增加至80-300nm，使背面氮化硅膜的厚度多于正面氮化硅膜的厚度，可更好地保護較為易碎的氧化鋁膜，降低產品不良率，電池性能也更可靠穩定。

附圖說明

圖1是本實用新型一種PERC太陽能電池的結構示意圖。

具體實施方式

為使本實用新型的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本實用新型作進一步地詳細描述。

如圖1所示，本實用新型提供一種PERC太陽能電池，包括背面電極1、全鋁背電場2、背面氮化硅膜3、背面氧化鋁膜4、P型硅5、N型發射極6、正面氮化硅膜7和正面電極8，所述背面電極1、全鋁背電場2、背面氮化硅膜3、背面氧化鋁膜4、P型硅5、N型發射極6、正面氮化硅膜7和正面電極8從下至上依次連接，所述背面氮化硅膜3和背面氧化鋁膜4設有激光開槽區，全鋁背電場2通過在激光開槽區設有局部鋁背場21，與P型硅5形成局部接觸；

所述背面氮化硅膜3的厚度大于正面氮化硅膜7的厚度。

本實用新型所述PERC太陽能電池相對于現有傳統的晶硅太陽能電池來說，在硅片的正面和背面都設有氮化硅膜，其中正面氮化硅膜7設置在N型發射極6上，主要用于減少太陽光的反射，增加透射，從而增加電池對光能的吸收。除此之外，正面氮化硅膜7除了可以飽和表面懸掛鍵，降低界面態外，還通過自身的正電荷，減少正面N型發射極6中的少子濃度，從而降低表面復合速率。SiNx中攜帶的氫可以在燒結的過程中擴散到硅片中，對發射極和硅片的內部晶體缺陷進行鈍化，這對品質較低的多晶硅片尤其有效，大幅提高了太陽能電池的效率。

在P型硅5背面使用AlOx鈍化層，不但不會形成反轉層造成漏電，反而會增加P型硅5中多子濃度，降低少子濃度，從而降低表面復合速率。